具有大钻石单晶的组合式修整器制造技术
Combined trimmer with large diamond single crystals
The invention discloses a combined type trimmer, with a large diamond single crystal includes: a substrate having a plurality of accommodating groove; and a plurality of grinding unit is arranged on the substrate in the containing groove, the grinding unit includes an arranged in the holding groove of a bottom face, a sponge the sponge is arranged on the substrate and a plurality of small diamond abrasive particles, the diamond abrasive particles having a particle size of not less than 300 microns, the sponge has a height of not less than 50 microns in compression.
【技术实现步骤摘要】
具有大钻石单晶的组合式修整器
本专利技术涉及一种组合式修整器，尤指一种具有大钻石单晶的组合式修整器。
技术介绍
在半导体工业中，特别在目前线宽越来越小的发展趋势下，晶圆表面的平坦化步骤更为关键，目前高阶制程已全面使用化学机械研磨技术来达到全面平坦化效果。但在化学机械研磨制程中因为抛光垫会不断的和晶圆产生摩擦，使得抛光垫上的沟纹逐渐消失，且化学机械研磨制程中产生的切削、反应生成物等都会渐渐积存在抛光垫表面的细微沟槽中，容易造成抛光垫钝化、堵塞，导致抛光垫表面劣化，容易对晶圆产生缺陷，因此，研磨垫修整器(paddresser)遂成为化学机械研磨(CMP)制程维持晶圆平坦性、均匀性的关键，用以适度的修整抛光垫，好让抛光垫可以恢复原本的表面特性。
技术实现思路
为了达成上述目的，本专利技术提供一种具有大钻石单晶的组合式修整器，其特征在于包括：一大基板，具有复数个容置槽；以及复数个研磨单元，设置于该大基板的该容置槽，该研磨单元包括一放置于该容置槽的一底面的海绵、一设于该海绵上的小基板以及复数个设置于该小基板上的大钻石研磨颗粒，该大钻石研磨颗粒具有一不小于300微米的粒径；其中，...
【技术保护点】
一种具有大钻石单晶的组合式修整器，其特征在于包括：一大基板，具有复数个容置槽；以及复数个研磨单元，设置于该大基板的该容置槽，该研磨单元包括一放置于该容置槽的一底面的海绵、一设于该海绵上的小基板以及复数个设置于该小基板上的大钻石研磨颗粒，该大钻石研磨颗粒具有一不小于300微米的粒径；其中，该海绵具有一不小于50微米的压缩高度而使得最高的该研磨单元中的大钻石研磨颗粒的尖点与次高的该研磨单元中的大钻石研磨颗粒的尖点的高度差小于20微米，单一研磨单元中的大钻石研磨颗粒的第一高的尖点与第十高的尖点之高度差小于20微米，单一研磨单元中的大钻石研磨颗粒的第一高的尖点与第一百高的尖点之高度...
【技术特征摘要】
1.一种具有大钻石单晶的组合式修整器，其特征在于包括：一大基板，具有复数个容置槽；以及复数个研磨单元，设置于该大基板的该容置槽，该研磨单元包括一放置于该容置槽的一底面的海绵、一设于该海绵上的小基板以及复数个设置于该小基板上的大钻石研磨颗粒，该大钻石研磨颗粒具有一不小于300微米的粒径；其中，该海绵具有一不小于50微米的压缩高度而使得最高的该研磨单元中的大钻石研磨颗粒的尖点与次高的该研磨单元中的大钻石研磨颗粒的尖点的高度差小于20微米，单一研磨单元中的大钻石研磨颗粒的第一高的尖点与第十高的尖点之高度差小于20微米，单一研磨单元中的大钻石研磨颗粒的第一高的尖点与第一百高的尖点之高度差小于40微米，且该大钻石研磨颗粒第一高的尖点的突出高度大于50微米。2...
【专利技术属性】
技术研发人员：张荣德，宋健民，
申请(专利权)人：福建自贸试验区厦门片区展瑞精芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35
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