【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体领域，具体涉及一种超薄单晶硅片烧结用治具。
技术介绍
在采用LTO(低温二氧化硅)工艺给单晶硅片形成氧化硅膜层时需要将单晶硅片置于治具上进行加热，如图1所示的治具在两挡块之间具有平面的加工槽，针对厚度小的单晶硅片，尤其涉及厚度在300μm的单晶硅片，在受热过程中，受硅片上、下面热膨胀不同影响，硅片会发生完形弯曲，进而导致硅片中心与边缘温度差异较大，在如图1所示的传统治具上烧结的硅片LTO均一性一般在6.6％左右，均一性较低。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种改善超薄单晶硅片烧结后均一性良好的治具。为达到上述技术目的，提供一种超薄单晶硅片烧结治具，包括加工槽，加工槽两端固定有挡块，所述的加工槽截面为V形。优选的，所述的V形加工槽的夹角为钝角。优选的，包括多个平行且均匀分布的加工槽。本技术的超薄单晶硅片烧结治具，改变了治具的形状，将现有技术中平面的加工槽改为V形加工槽，使硅片在烧结过程中与治具完全贴合，受热均匀。本技术的有益效果是使硅片在受热过程中，硅片中心与边缘紧贴治具，受热均匀，LTO均一性良好。附图说明图1为现有技术的结构示意图；图2为本技术的结构示意图；其中：1-挡块2-加工槽具体实施方式以下结合附图和具体实施例，对本技术做进一步说明。根据图2所示的一种超薄单晶硅片烧结治具，针对厚度为300μm的单晶硅片的烧结<...
【技术保护点】
一种超薄单晶硅片烧结治具，其特征在于，包括加工槽，加工槽两端固定有挡块，所述的加工槽截面为V形。
【技术特征摘要】
1.一种超薄单晶硅片烧结治具，其特征在于，包括加工槽，加工槽两端固定有挡块，所
述的加工槽截面为V形。
2.根据权利要求1所述的超薄单晶硅片烧结治具，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：余图斌，贺贤汉，石田谦一，李传玉，
申请(专利权)人：上海申和热磁电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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