【技术实现步骤摘要】
本专利技术通常是关于一种钻石P-N结以及其相关方法。因此，本专利技术有关于化学、冶金、材料科学、物理以及高压技术的领域。
技术介绍
由于钻石极高的硬度、原子密度以及高热导性，所以对于很多应用来说是理想的材料。因此，大的钻石体有助于许多应用，包括相关的工具、基材、电子元件等，钻石体包括实质上单一的晶向，且特别受到半导体以及散热器相关产业的高度欢迎。 随着电脑以及其他电子装置越来越小且越来越快速，使用于半导体装置中的需求急剧增加，这些增加的需求由于电荷载子的累积而增加很多问题，如固有的量子起伏(quantum fluctuation)中的电子与空穴。电荷载子的累积产生噪声，且倾向于混淆半导体装置中的电子讯号，且当装置的温度增加时此问题会更加严重，许多载子累积可能因为本质上低的键能以及一般半导体晶格的各向异性；另一问题可能是来自目前的半导体材料，这些半导体倾向于具有高的漏电流性(leaking current)以及低的击穿电压(break downvoltage)，当半导体晶体管以及其他电路元件的尺寸縮小，而伴随着持续增加功率以及频率的需求，漏电流以及击穿电压的问题也...
【技术保护点】
一种制造半导体单晶钻石体的方法，其特征在于，所述方法包括：将多个钻石片段在高压且结合有熔融的催化剂以及一碳源的条件下设置于极接近的位置，且该钻石片段是具有单晶方向性排列；多个钻石片段接着保持在高压下以及熔融的催化剂中直到该等钻石片段相互连接，而使得钻石与钻石之间形成键结，以形成实质上单晶的钻石体；将一同质磊晶单晶钻石体层沉积于该单晶钻石体上；引入一掺杂物至该同质磊晶单晶钻石体层中以形成一半导体单晶钻石层。
【技术特征摘要】
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