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本发明提供一种在拼图式钻石基板形成Ｐ－Ｎ结的方法。本发明提供制造以及使用半导体单晶钻石体的方法，包括通过这种方法所制造的半导体钻石体。在一态样中，制造一半导体单晶钻石体的方法包括将多个钻石片段在高压且结合有熔融的催化剂以及一碳源的条件下设置...
该专利属于宋健民所有，仅供学习研究参考，未经过宋健民授权不得商用。

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