【技术实现步骤摘要】
半导体晶片的均温及其制造方法
本专利技术为有关一种半导体晶片的均温及其制造方法，尤指一种能以均温散热降低半导体晶片内的温度梯度及其制造方法。
技术介绍
集成电路(或称积体电路，IntegratedCircuits，缩写IC)为计算机的主要元件，大量用于中央处理器(CentralProcessingUnit，缩写CPU)、图像处理器(GraphicsProcessingUnit，缩写GPU)、类神经处理器(NeuralProcessingUnit，缩写NPU)，各种记忆体(如DRAM，FlashMemories)，甚至储存体等电子元件。IC随摩尔定律的微小化走势，晶体管(电晶体)已比病毒更小，线宽已小到7nm，如2018年由苹果公司(AppleInc.)所提供的手机中所采用的A12处理器，即采用台湾积体电路公司(TaiwanSemiconductorManufacturingCompany，缩写TSMC)制造生产的7nm的集成电路。当IC微小化后，漏电比率趋于严重，晶体管的开(1)和关(0)难以辨识，半导体晶圆(如硅、...
【技术保护点】
1.一种半导体晶片，该半导体晶片的整体功率大于1W/cm
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶片，该半导体晶片的整体功率大于1W/cm2或局部的功率大于10W/cm2，包括一晶片基材以及至少一披覆于该晶片基材的均温层，该均温层的一表面距离该半导体晶片内的一高温面小于100微米，该均温层的成分选自于碳材料、氮化硼材料、氮化铝材料及碳化硅材料所组成的群组。
2.如权利要求1所述的半导体晶片，其中该碳材料的主要结构选自于钻石、类钻碳、石墨或其组合。
3.如权利要求1所述的半导体晶片，其中该均温层为一贴合于该晶片基材的单晶钻石膜。
4.如权利要求1所述的半导体晶片，其中该氮化硼材料的主要结构选自于六方氮化硼、立方氮化硼或其组合。
5.如权利要求1所述的半导体晶片，其中该均温层为复数层，且还包括一设置于该均温层之间而用于加厚该均温层的中间层。
6.如权利要求5所述的半导体晶片，其中该中间层的材料为选自于钛、硅及钨所组成的群组。
7.如权利要求5所述的半导体晶片，其中该均温层为复数层，且还包括一设置于该均温层之间而用于支撑该均温层的支撑层。
8.如权利要求7所述的半导体晶片，其中该支撑层的材料为硅。
9.如权利要求1所述的半导体晶片，其中该均温层的该表面距离该高温面小于50微米。
10.一种积体电路，包括一如权利要求1至9中任一项所述的半导体晶片。
11.如权利要求10所述的积体电路，其中该积体电路选自于中央处理器、图像处理器以及类神经处理器所组成的群组。
12.一种高电子移动率电晶体，包括一如权利要求1至9任一项所述的半导体晶片。
13.一种半导体晶片的制造方法，包含以下步骤：
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