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本发明涉及半导体晶片的均温及其制造方法。本发明是将晶片接近最热的区域披覆上一薄层超硬材料或极硬材料，这样晶片在运作时热点不能集中而散布在大面积上，避免了高温晶片原子在热点处振动频率太高而在晶格位移，因此可以更高功率驱动晶片而不致损坏。...
该专利属于宋健民所有，仅供学习研究参考，未经过宋健民授权不得商用。

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