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化学机械研磨垫的双重修整系统及相关方法技术方案

技术编号:8208779 阅读:233 留言:1更新日期:2013-01-16 23:51
本发明专利技术公开了一种修整化学机械研磨垫的双重修整系统及相关方法,在本发明专利技术的一种具体实施方式中,该修整化学机械研磨垫的方法包括:将一去釉化修整器(deglazing?dresser)作用于一化学机械研磨垫的一工作表面,以利用该去釉化修整器能够对该化学机械研磨垫的该工作表面进行去釉化;将一粗糙成形修整器(asperity-frming?dresser)作用于该化学机械研磨垫的该工作表面,以利用该粗糙成形修整器能够对该化学机械研磨垫的该工作表面进行粗糙化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化学机械研磨垫修整器,特别是一种将化学机械研磨垫修整器分为去釉化修整器及粗糙成形修整器的组合。
技术介绍
迄今,半导体工业每年花费超过十亿美元制造必须具有非常平坦且光滑表面的硅晶圆。已有许多的技术用以制造光滑且具平坦表面的硅晶圆。其中最常见的工艺称为化学机械研磨(CMP),其包括一结合研磨液的研磨垫的使用。在所有CMP工艺中最重要的是于研磨晶圆的均匀度、IC线路的光滑性、产率的移除速率、CMP经济性的消耗品寿命等方面实现高性能程度。
技术实现思路
本专利技术提供了用于修整化学机械研磨垫的双重修整系统及其相关方法。在本专利技术的一种实施方式中,例如,一修整化学机械研磨垫的方法可包括一去釉化修整器,其作用于一化学机械研磨垫的工作表面,利用该去釉化修整器对该化学机械研磨垫的该工作表面进行去釉化;一粗糙成形修整器,其作用于该化学机械研磨垫的工作表面,利用该粗糙成形成修整器对该化学机械研磨垫的该工作表面进行粗糙化。在一种实施方式中,该化学机械研磨垫的工作表面在进行粗糙化前,基本上已完全地去釉化。在另一种实施方式中,该化学机械修整器研磨垫的全部工作表面在进行粗糙化前,基本上已完全本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种修整化学机械研磨垫的方法,包括:将一去釉化修整器作用于一化学机械研磨垫的一工作表面,以利用该去釉化修整器对该化学机械研磨垫的该工作表面进行去釉化;将一粗糙成形修整器作用于该化学机械研磨垫的该工作表面,以利用该粗糙成形修整器对该化学机械研磨垫的该工作表面进行粗糙化。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:宋健民
申请(专利权)人:宋健民
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有1条评论
  • 来自[北京市百度蜘蛛] 2015年04月01日 16:48
    大学考试某一门课未通过(一般是必修),下一个学年重新上这门课,并重新考试称为重修。大多数高校都采取这样的策略:当一位同学在期末考试中有多科不及格,在下一学期开学第一周给予补考机会,若该同学在补考期间把不及格的科目补考及格则不需要重修,但假如有超过一定数目的学科还不及格则要重修这些课程。或者在四年下来还有没过的科目则在毕业前需要重修并参加考试及格后才予以毕业。重修需要交纳一定的重修费。重修分为插班重修和开专门的重修班组两种。
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