【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种化学机械研磨垫修整器,特别是一种将化学机械研磨垫修整器分为去釉化修整器及粗糙成形修整器的组合。
技术介绍
迄今,半导体工业每年花费超过十亿美元制造必须具有非常平坦且光滑表面的硅晶圆。已有许多的技术用以制造光滑且具平坦表面的硅晶圆。其中最常见的工艺称为化学机械研磨(CMP),其包括一结合研磨液的研磨垫的使用。在所有CMP工艺中最重要的是于研磨晶圆的均匀度、IC线路的光滑性、产率的移除速率、CMP经济性的消耗品寿命等方面实现高性能程度。
技术实现思路
本专利技术提供了用于修整化学机械研磨垫的双重修整系统及其相关方法。在本专利技术的一种实施方式中,例如,一修整化学机械研磨垫的方法可包括一去釉化修整器,其作用于一化学机械研磨垫的工作表面,利用该去釉化修整器对该化学机械研磨垫的该工作表面进行去釉化;一粗糙成形修整器,其作用于该化学机械研磨垫的工作表面,利用该粗糙成形成修整器对该化学机械研磨垫的该工作表面进行粗糙化。在一种实施方式中,该化学机械研磨垫的工作表面在进行粗糙化前,基本上已完全地去釉化。在另一种实施方式中,该化学机械修整器研磨垫的全部工作表面在进行粗 ...
【技术保护点】
一种修整化学机械研磨垫的方法,包括:将一去釉化修整器作用于一化学机械研磨垫的一工作表面,以利用该去釉化修整器对该化学机械研磨垫的该工作表面进行去釉化;将一粗糙成形修整器作用于该化学机械研磨垫的该工作表面,以利用该粗糙成形修整器对该化学机械研磨垫的该工作表面进行粗糙化。
【技术特征摘要】
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