多晶硅化学机械研磨后的清洗方法技术

本发明专利技术提出了一种多晶硅化学机械研磨后的清洗方法，将对晶圆的第一道刷洗和第二道刷洗过程分为氨水-超纯水再氨水-超纯水的刷洗步骤，一方面减少一次性超纯水刷洗晶圆的时间，避免溶解在超纯水中的氧与晶圆表面过长时间接触而使得晶圆中心形成较厚的氧化层，另一方面第二次采用氨水能够去除第一次超纯水与晶圆接触所形成的氧化层，进一步减少氧化层的厚度，从而有利于后续进行刻蚀工艺，避免了晶圆表面的氧化层厚度不均匀造成的刻蚀不均匀，导致形成的CD不均匀等问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多晶硅化学机械研磨后的清洗方法，用于对晶圆表面多晶硅进行化学机械研磨后对晶圆进行清洗，其特征在于，包括以下步骤：颗粒物清洗，采用清洗剂对所述晶圆表面进行清洗；第一道刷洗，先采用氨水配合刷子对所述晶圆进行刷洗，再采用超纯水配合刷子对所述晶圆进行刷洗；第二道刷洗，先采用氨水配合刷子对所述晶圆进行刷洗，再采用超纯水配合刷子对所述晶圆进行刷洗；干燥处理，对所述晶圆进行干燥。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：秦海燕，李儒兴，程君，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31