【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
多晶体硅，简称多晶硅，现在已经在工业上大量生产而作为光伏应用和晶片制作的单晶生产的原材料等。在所有的应用中，都需要高纯度的原材料。通常高纯硅是通过热分解因此易于通过蒸馏方法纯化的挥发性硅化合物，例如，三氯硅烷而获得。硅以多晶体形式，以具有典型直径7(T300mm而长度50(T2500mm的棒状形式沉积。这些多晶硅棒绝大部分都随后通过坩埚拉制(切克劳斯基法或CZ法)的方法进一·步加工处理而得到单晶，或用于生产光伏应用的多晶基础材料。在这两种情况下，都需要高纯熔融硅。为此目的，固体硅在坩埚中熔融。多晶硅棒在熔融之前通常通过金属破碎工具，如钳或辊式破碎机、锤或凿子将其粉碎。然而，在粉碎过程中，高纯硅会被外来原子污染。这些污染尤其是金属碳化物或金刚石残余物，以及金属杂质。因此，硅块在进一步加工处理和/或封装用于更高价值的应用，例如单晶拉制之前要进行清洗。这通常在一个或多个化学湿清洗步骤中完成。这涉及使用不同化学品和/或酸的混合物，而再次尤其是从表面除去附着的外来原子。EP0905796B1要求保护生产具有低金属浓度的硅的方法，其特征在于这...
【技术保护点】
一种在酸性清洗浴中清洗多晶硅块的方法，其中所述清洗包括几个清洗循环，其中在每个清洗循环中消耗特定量的酸，其中计算机控制的计量系统的积分仪用于累加每个清洗循环中消耗的那些酸用量而得到清洗浴中酸的当前总耗量，其中，一旦达到所述清洗浴中对应于计量系统最佳计量的总酸耗量，则所述计量系统就将从储液池容器中抽出的这个最佳计量的未消耗酸供给所述清洗浴。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：汉斯·沃赫纳，托马斯·盖勒，鲁道夫·克尔纳，
申请(专利权)人：瓦克化学股份公司，
类型：发明
国别省市：
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