【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
基于切克劳斯基法的单晶硅是使用石英玻璃坩埚制造。使高纯度的多晶硅熔融 而得到硅熔液，使晶种的端部接触该硅熔液表面，通过一边使之旋转一边提拉，而制造单 晶硅。为了将使硅熔液接触单晶的硅熔液面中心部分的固液界面保持在作为硅的熔点的 1420°C附近，石英玻璃坩埚的温度达到约1450~1600°C这样的高温。在有时花费2周以上 的单晶硅提拉中，石英玻璃坩埚的缘部的沉入变形量有时会达到5cm以上。 石英玻璃坩埚的尺寸有直径为28英寸（约71cm)、32英寸（约81cm)、36英寸（约 91cm)、40英寸（约IOlcm)等尺寸。直径IOlcm的坩埚是重量约为120kg的巨大的坩埚，收 容于其中的硅熔液的质量为900kg以上。也就是说，在单晶硅的提拉时，要将900kg以上的 约1500°C的硅熔液收容于坩埚中。 此种石英玻璃纟甘埚可以适用于直径200~450mm(例如200mm、300mm、450mm)且长 度为Im到5m以上的大型的单晶娃徒的制造中。由此种大型徒材制造的单晶娃晶片可以适 用于闪速存储器或DRAM的制造中。 半导...
【技术保护点】
一种适合于单晶硅提拉(pulling of silicon single crystal)用石英玻璃坩埚(vitreous silica crucible)中的无气泡层(bubble layer)的形成的石英粉(silica powder)的评估方法，其具有：测量石英粉的石英粒子间的间隙率的工序、将所述石英粉熔融的工序、测量将熔融石英粉冷却固化而得的石英玻璃块的气泡含有率(bubble content rate)的工序、以及根据所述石英粉的间隙率和所述石英玻璃块的气泡含有率来判定是否是合适的石英粉的工序。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：须藤俊明，佐藤忠广，北原贤，旭冈真喜子，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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