制备多晶硅的系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种制备多晶硅的系统，该系统包括：多个还原炉，多个还原炉通过管道串联连接；三氯氢硅入口，三氯氢硅入口设置在管道上；氢气入口，氢气入口设置在管道上；三氯氢硅储罐，三氯氢硅储罐分别与第一个还原炉和三氯氢硅入口相连；以及氢气储罐，氢气储罐分别与第一个还原炉和氢气入口相连。该系统可以实现物料的循环使用，并且显著降低还原尾气的处理成本。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种制备多晶硅的系统，该系统包括：多个还原炉，多个还原炉通过管道串联连接；三氯氢硅入口，三氯氢硅入口设置在管道上；氢气入口，氢气入口设置在管道上；三氯氢硅储罐，三氯氢硅储罐分别与第一个还原炉和三氯氢硅入口相连；以及氢气储罐，氢气储罐分别与第一个还原炉和氢气入口相连。该系统可以实现物料的循环使用，并且显著降低还原尾气的处理成本。【专利说明】制备多晶娃的系统
本技术属于多晶硅生产
，具体而言，本技术涉及一种制备多晶娃的系统。
技术介绍
多晶硅是太阳能光伏用原料，在光伏电池生产中起着举足轻重的作用，如何低成本的生产高品质的多晶硅是多晶硅生产工作者一直以来孜孜追求的目标。现有的多晶硅生产80%以上采用改良西门子工艺技术，即将高纯三氯氢硅和高纯氢气混合后进入到还原炉内进行气相沉积获得高纯多晶硅，从还原炉内出来的还原尾气进入到尾气回收工序进行处理，还原尾气通过冷媒介质不断的冷凝分离出三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅、氢气及氯化氢，然后经过提纯处理后将尾气中的各种物料循环利用。在传统的生产工艺中，尾气先通过回收分离，造成能耗较高，物料的单程转化率较低。 因此，现有的多晶娃生广技术有待进一步改进。
技术实现思路
本技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种制备多晶硅的系统，该系统可以实现物料的循环使用，并且显著降低还原尾气的处理成本。 在本技术的一个方面，本技术提出了一种制备多晶硅的系统，该系统包括: 多个还原炉，所述多个还原炉通过管道串联连接； 三氯氢硅入口，所述三氯氢硅入口设置在所述管道上； 氢气入口，所述氢气入口设置在所述管道上； 三氯氢硅储罐，所述三氯氢硅储罐分别与第一个还原炉和所述三氯氢硅入口相连；以及 氢气储罐，所述氢气储罐分别与所述第一个还原炉和所述氢气入口相连。 根据本技术实施例的制备多晶硅的系统通过管道将上游还原炉产生的还原尾气直接供给至下游还原炉中参与还原反应，可以实现物料的循环利用，同时在将还原尾气供给至下游还原炉参与还原反应之前，将还原尾气与三氯氢硅和氢气在管道中进行混合，可以实现对三氯氢硅和氢气的预热，进而降低了能耗，另外，还原尾气中的二氯二氢硅、氯化氢和四氯化硅可以有效抑制部分副反应，从而显著提高三氯氢硅转化率，并且所得到多晶娃纯度并未降低。 另外，根据本技术上述实施例的制备多晶硅的系统还可以具有如下附加的技术特征: 在本技术的一些实施例中，所述制备多晶硅的系统包括3?6个所述还原炉。 由此，可以显著提高三氯氢硅转化率。 在本技术的一些实施例中，所述制备多晶硅的系统进一步包括:还原尾气返回管路，所述还原尾气返回管路分别与所述第一个还原炉和最后一个还原炉相连。由此，可以实现物料的循环利用。 【专利附图】【附图说明】 图1是根据本技术一个实施例的制备多晶硅的系统结构示意图； 图2是根据本技术又一个实施例的制备多晶硅的系统结构示意图； 图3是利用本技术一个实施例的制备多晶硅的系统制备多晶硅的方法流程示意图； 图4是利用本技术又一个实施例的制备多晶硅的系统制备多晶硅的方法流程不意图。 【具体实施方式】 下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。 在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底” “内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。 此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。 在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。 在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。 在本技术的一个方面，本技术提出了一种制备多晶硅的系统。根据本技术的实施例，该系统包括多个还原炉，根据本技术的具体实施例，多个还原炉通过管道串联连接，并将上游还原炉产生的尾气供给至下游还原炉，根据本技术的具体示例，还原炉可以为3?6个。 下面参考图1-2对本技术实施例的制备多晶硅的系统进行详细描述。以3个还原炉为例，三个还原炉依次为第一还原炉100、第二还原炉200和第三还原炉300，并且第一还原炉100和第二还原炉200、第二还原炉200和第三还原炉300之间通过管道400串联连接，用于将上游还原炉产生的还原尾气供给至下游还原炉中。需要解释的是，第一还原炉相对于第二还原炉称为上游还原炉，而第二还原炉相对于第一还原炉称为下游还原炉。根据本技术的实施例，还原反应的条件并不受特别限制，根据本技术的具体实施例，还原反应可以在温度为1050摄氏度和压力为0.3?0.55MPa条件下进行。根据本技术的实施例，管道400上可以设置有三氯氢硅入口 401和氢气入口 402。 根据本技术的实施例，制备多晶硅的系统进一步包括三氯氢硅储罐500和氢气储罐600，根据本技术的具体实施例，三氯氢硅储罐500分别与第一还原炉100和三氯氢娃入口 401相连,且适于将三氯氢娃供给至还原炉中，氢气储罐600分别与第一还原炉100和氢气入口 402相连，且适于将氢气供给至还原炉中。具体的，将三氯氢硅和氢气供给至第一还原炉中发生还原反应，得到多晶硅和第一还原尾气，然后通过管道将第一还原尾气供给至第二还原炉中，并通过管道上的三氯氢硅入口和氢气入口分别供给三氯氢硅和氢气，使得第一还原尾气与三氯氢硅和氢气接触，进而实现对三氯氢硅和氢气的预热，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备多晶硅的系统，其特征在于，包括：多个还原炉，所述多个还原炉通过管道串联连接；三氯氢硅入口，所述三氯氢硅入口设置在所述管道上；氢气入口，所述氢气入口设置在所述管道上；三氯氢硅储罐，所述三氯氢硅储罐分别与第一个还原炉和所述三氯氢硅入口相连；以及氢气储罐，所述氢气储罐分别与所述第一个还原炉和所述氢气入口相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石何武，郑红梅，严大洲，汤传斌，肖荣晖，
申请(专利权)人：中国恩菲工程技术有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11