一种多晶硅片背面钝化工艺制造技术

本发明专利技术涉及多晶硅太阳能电池生产领域，具体是一种多晶硅片背面钝化工艺。一种多晶硅片背面钝化工艺，放置多晶硅片在加热炉中，升温到910摄氏度，持续通入气化三溴化硼，停止通入三溴化硼，通入氮气1分钟后停止；保持温度970摄氏度不变，通入氮气和一氧化二氮混合物进行推进10分钟后停止；通入氧气进行氧化。使用本发明专利技术的钝化工艺可以有效提高多晶电池的开压达10mV，多晶电池的转换效率也有0.5%的提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多晶硅太阳能电池生产领域，具体是一种多晶硅片背面纯化工艺。
技术介绍
多晶硅太阳能电池由于本身材料属性的限制，在转换效率上比单晶硅电池有约1%的差距，如何能够利用多晶硅低廉的成本，获得更高的转换效率，是太阳能行业研究的重点。近年来发展了多种背面钝化技术，有AlO，SiO，SiON等，这些钝化技术在单晶电池上取得了明显的效率提升效果，但是在多晶电池上却很难达到和单晶一样的效果。因此需要找到一种适合多晶的钝化工艺。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：如何提供一种多晶硅片背面纯化工艺以提高光电转化效率。本专利技术所采用的技术方案是：一种多晶硅片背面纯化工艺，按照如下的步骤进行：步骤一、放置多晶硅片在加热炉中，升温到910摄氏度，持续通入气化三溴化硼，以5摄氏度/分钟持续升温至970摄氏度，保温12分钟；步骤二、保持温度970摄氏度不变，停止通入三溴化硼，通入氮气1分钟后停止；步骤三、保持温度970摄氏度不变，通入氮气和一氧化二氮混合物进行推进10分钟后停止；步骤四、通入氧气进行氧化，同时以5摄氏度/分钟持续降温至820摄氏度，保温10分钟，停止通入氧气，在氨气环境下自然冷却。作为一种优选方式：步骤一中三溴化硼的流量为10-20升/分钟，步骤二中，氮气的流量为15升/分钟，步骤三中氮气和一氧化二氮的比例为1:1，氮气和一氧化二氮混合物流量为10升/分钟，步骤四中，氧气流量为10升/分钟。本专利技术的有益效果是：使用本专利技术的钝化工艺可以有效提高多晶电池的开压达10mV，多晶电池的转换效率也有0.5%的提高。实现了在多晶硅片背钝化后提高电池效率的目的。在同样的硅片面积下，每片多晶硅片可以提高0.12w功率。具体实施方式实施例1在镀膜工序制作减反射膜层时，将多晶硅片放置在加热炉中，升温到910摄氏度，以15升/分钟的速度持续通入气化三溴化硼，同时以5摄氏度/分钟持续升温至970摄氏度，保温12分钟，在多晶硅片上形成硼掺杂层，保持温度970摄氏度不变，停止通入三溴化硼，以15升/分钟通入氮气1分钟后停止，目的是把气化三溴化硼清除，保持温度970摄氏度不变，通入氮气和一氧化二氮混合物进行推进10分钟后停止，氮气和一氧化二氮的比例为1:1，氮气和一氧化二氮混合物流量为10升/分钟，目的是在硼掺杂层表面形成一层氮化硼层，一氧化二氮可以促进氮化硼层的形成，并且部分与硼掺杂层参合在一起，共同形成纯化层，以10升/分钟，通入氧气进行氧化，同时以5摄氏度/分钟持续降温至820摄氏度，保温10分钟，停止通入氧气，在氨气环境下自然冷却，表面的硅原子形成二氧化硅晶体，固化了纯化层，且不影响纯化层的厚度。实施例2在镀膜工序制作减反射膜层时，在三溴化硼通入管道、氮气和一氧化二氮通入管道、氧气通入管道的出口安装一个围绕管道的导电圈，该导电圈接110伏直流电源的负极，将多晶硅片放置在加热炉中的接110伏直流电压的平板导电板上，升温到910摄氏度，以15升/分钟的速度持续通入气化三溴化硼，同时以10摄氏度/分钟持续升温至970摄氏度，保温10分钟，在多晶硅片上形成硼掺杂层，保持温度970摄氏度不变，停止通入三溴化硼，以15升/分钟通入氮气1分钟后停止，目的是把气化三溴化硼清除，保持温度970摄氏度不变，通入氮气和一氧化二氮混合物进行推进6分钟后停止，氮气和一氧化二氮的比例为1:1，氮气和一氧化二氮混合物流量为10升/分钟，目的是在硼掺杂层表面形成一层氮化硼层，一氧化二氮可以促进氮化硼层的形成，并且部分与硼掺杂层参合在一起，共同形成纯化层，以10升/分钟，通入氧气进行氧化，同时以10摄氏度/分钟持续降温至820摄氏度，保温8分钟，停止通入氧气，在氨气环境下自然冷却，表面的硅原子形成二氧化硅晶体，固化了纯化层，且不影响纯化层的厚度。在静电场的作用下三溴化硼、氮气、一氧化二氮、氧气更容易发生反应，并且形成的纯化层更致密，本专利技术只需要少量投入设备，就能够达到提高多晶电池背面开压的目的，通过提高多晶电池开压，从而提高多晶电池的转换效率，在硅片面积一定的情况下，可以得到更高的功率，提高产品的竞争力，满足高端用户的需求。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅片背面纯化工艺，其特征在于按照如下的步骤进行：步骤一、放置多晶硅片在加热炉中，升温到910摄氏度，持续通入气化三溴化硼，以5摄氏度/分钟持续升温至 970摄氏度，保温12分钟；步骤二、保持温度970摄氏度不变，停止通入三溴化硼，通入氮气1分钟后停止；步骤三、保持温度970摄氏度不变，通入氮气和一氧化二氮混合物进行推进10分钟后停止；步骤四、通入氧气进行氧化，同时以5摄氏度/分钟持续降温至 820摄氏度，保温10分钟，停止通入氧气，在氮气环境下自然冷却。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅片背面纯化工艺，其特征在于按照如下的步骤进行：步骤一、放置多晶硅片在加热炉中，升温到910摄氏度，持续通入气化三溴化硼，以5摄氏度/分钟持续升温至970摄氏度，保温12分钟；步骤二、保持温度970摄氏度不变，停止通入三溴化硼，通入氮气1分钟后停止；步骤三、保持温度970摄氏度不变，通入氮气和一氧化二氮混合物进行推进10分钟后停止；步骤四、通入氧气进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵科巍，郭卫，王恩宇，申开愉，张之栋，张波，
申请(专利权)人：山西潞安太阳能科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：山西;14