一种多晶硅铸锭热场制造技术

本申请公开了一种多晶硅铸锭热场，包括侧部加热器和顶部加热器，所述顶部加热器的预设区域的厚度比所述预设区域以外的其他区域的厚度小预设数值。本申请提供的上述多晶硅铸锭热场，能够使头部电阻率偏低的硅块集中在固定的区域，减少品检操作人员对掺镓硅锭不同区域头部电阻率一一测试的繁琐操作，提高生产效率。

Polysilicon ingot heat field

The invention discloses a silicon ingot thermal field, including the top side heater and heater, numerical small thickness preset preset area and the top of the heater thickness than the preset area outside the area of the other. The polycrystalline silicon ingot provided by the application of thermal field, can make the head of low resistivity silicon block in the fixed area, reducing the tedious operation inspection personnel to test each of gallium doped silicon ingot in different regions of the head resistivity, improve production efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅铸锭热场
本专利技术属于光伏电池
，特别是涉及一种多晶硅铸锭热场。
技术介绍
随着光伏市场的日趋成熟，竞争日趋激烈，客户需求不再集中在成本低的产品上，而是转向高品质的光伏产品。影响光伏产品品质的一个关键点就是硅片的光衰问题，现在的硅片光衰率偏高，因此，如何获得光衰较低且可大规模生产，不影响生产效率和成本的光伏产品是目前主要的问题。现有技术中，为了得到低光衰硅片，主要是使用镓作为母合金，但由于多晶硅锭在掺镓后电阻率分布范围较大，不同热区的硅锭头部电阻率分布不均匀，头部采用同样划线的情况下，会产生很多电阻率较低的硅片，低电阻位置的漏电流较高，电池效率较低，增加了生产的操作困难，导致生产效率不高。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种多晶硅铸锭热场，能够使头部电阻率偏低的硅块集中在固定的区域，减少品检操作人员对掺镓硅锭不同区域头部电阻率一一测试的繁琐操作，提高生产效率。本专利技术提供的一种多晶硅铸锭热场，包括侧部加热器和顶部加热器，所述顶部加热器的预设区域的厚度比所述预设区域以外的其他区域的厚度小预设数值。优选的，在上述多晶硅铸锭热场中，所述预设区域为靠近一个角或两个角的区域。优选的，在上述多晶硅铸锭热场中，所述预设区域为靠近一个边的位置。优选的，在上述多晶硅铸锭热场中，所述预设数值为3毫米至10毫米。优选的，在上述多晶硅铸锭热场中，所述顶部加热器还包括设置于所述预设区域和所述其他区域之间的斜坡式平面。优选的，在上述多晶硅铸锭热场中，所述预设区域以外的其他区域的厚度范围为18毫米至22毫米。通过上述描述可知，本专利技术提供的上述多晶硅铸锭热场，由于所述顶部加热器的预设区域的厚度比所述预设区域以外的其他区域的厚度小预设数值，因此能够使头部电阻率偏低的硅块集中在固定的区域，减少品检操作人员对掺镓硅锭不同区域头部电阻率一一测试的繁琐操作，提高生产效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的第一种多晶硅铸锭热场的顶部加热器的示意图；图2为本申请实施例提供的第一种多晶硅铸锭热场的顶部加热器的横截面图。具体实施方式本专利技术的核心思想在于提供一种多晶硅铸锭热场，能够使头部电阻率偏低的硅块集中在固定的区域，减少品检操作人员对掺镓硅锭不同区域头部电阻率一一测试的繁琐操作，提高生产效率。下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本申请实施例提供的第一种多晶硅铸锭热场，包括侧部加热器和顶部加热器，所述顶部加热器如图1所示，图1为本申请实施例提供的第一种多晶硅铸锭热场的顶部加热器的示意图，该顶部加热器的预设区域1的厚度比所述预设区域1以外的其他区域的厚度2小预设数值。更多的细节参考图2，图2为本申请实施例提供的第一种多晶硅铸锭热场的顶部加热器的横截面图，可以明显的看出，预设区域1的厚度比其他区域2的厚度更小，这样就能够增加这个预设区域的电阻，杂质都聚集到该区域，只需要后续检查此位置的参数即可，从而降低品检人员的工作量。通过上述描述可知，本申请实施例提供的第一种多晶硅铸锭热场，由于所述顶部加热器的预设区域的厚度比所述预设区域以外的其他区域的厚度小预设数值，因此能够使头部电阻率偏低的硅块集中在固定的区域，减少品检操作人员对掺镓硅锭不同区域头部电阻率一一测试的繁琐操作，提高生产效率。本申请实施例提供的第二种多晶硅铸锭热场，是在上述第一种多晶硅铸锭热场的基础上，还包括如下技术特征：所述预设区域为靠近一个角或两个角的区域。当预设区域为靠近一个角的区域时，顶部加热器在这种靠近一个角的区域中电阻率偏低，从而，头部电阻率偏低的硅块集中在该区域，后续就可以减少繁琐操作，而当预设区域为靠近两个角的区域时则同理，此处不再赘述。本申请实施例提供的第三种多晶硅铸锭热场，是在上述第一种多晶硅铸锭热场的基础上，还包括如下技术特征：所述预设区域为靠近一个边的位置。在这种情况下，就能够将电阻率偏低的硅块集中在靠近一个边的位置，而不像现有技术中那样分散在各个位置，这样也方便后续质检人员的操作，提高工作效率。本申请实施例提供的第四种多晶硅铸锭热场，是在上述第一种多晶硅铸锭热场的基础上，还包括如下技术特征：所述预设数值为3毫米至10毫米。需要说明的是，这种减薄的厚度范围能够有效保证镓元素分凝到预设区域，使固定增强热区的电阻率偏低。本申请实施例提供的第五种多晶硅铸锭热场，是在上述第一种多晶硅铸锭热场的基础上，还包括如下技术特征：继续参考图2，所述顶部加热器还包括设置于所述预设区域1和所述其他区域2之间的斜坡式平面3。这种斜坡式平面能够增加结构强度，防止在安装过程中出现折断或者在使用过程中出现拉弧现象，当然不做斜坡式也是可以的。本申请实施例提供的第六种多晶硅铸锭热场，是在上述第一种至第四种多晶硅铸锭热场中任一种的基础上，还包括如下技术特征：所述预设区域以外的其他区域的厚度范围为18毫米至22毫米。需要说明的是，可以根据所需的电阻率来选择对应的厚度值。综上所述，上述各个方案中，在铸锭炉内顶部加热器任一边角位置的加热区变薄，增加其电阻，强行在预设位置产生了热区，使得硅锭头部电阻率偏低集中在预定好的位置，避免现有技术中对不同区域硅锭电阻率一一测试而采用不同划线标准的问题，提高了工作效率。另外需要说明的是，上述热场除了适用于掺杂镓元素的硅锭之外，还同样适用于硅基体中磷等低分凝系数的掺杂剂。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本专利技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本专利技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本专利技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅铸锭热场，包括侧部加热器和顶部加热器，其特征在于，所述顶部加热器的预设区域的厚度比所述预设区域以外的其他区域的厚度小预设数值。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅铸锭热场，包括侧部加热器和顶部加热器，其特征在于，所述顶部加热器的预设区域的厚度比所述预设区域以外的其他区域的厚度小预设数值。2.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭热场，其特征在于，所述预设区域为靠近一个角或两个角的区域。3.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭热场，其特征在于，所述预设区域为靠近一个边的位置。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，肖贵云，闫灯周，黄晶晶，李亮，李林东，王海涛，梅坤，廖晖，金浩，
申请(专利权)人：晶科能源有限公司，浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36