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本发明涉及多晶硅太阳能电池生产领域，具体是一种多晶硅片背面钝化工艺。一种多晶硅片背面钝化工艺，放置多晶硅片在加热炉中，升温到910摄氏度，持续通入气化三溴化硼，停止通入三溴化硼，通入氮气1分钟后停止；保持温度970摄氏度不变，通入氮气和一氧...
该专利属于山西潞安太阳能科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西潞安太阳能科技有限责任公司授权不得商用。

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