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本发明提出了一种多晶硅化学机械研磨后的清洗方法，将对晶圆的第一道刷洗和第二道刷洗过程分为氨水-超纯水再氨水-超纯水的刷洗步骤，一方面减少一次性超纯水刷洗晶圆的时间，避免溶解在超纯水中的氧与晶圆表面过长时间接触而使得晶圆中心形成较厚的氧化层，...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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