【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种抛光垫修整器，尤指一种以单晶金字塔数组作为研磨结构的抛光垫修整器。
技术介绍
1、化学机械平坦化(chemical mechanical planarization或cmp)为制造集成电路(或称集成电路，通称ic，即integrated circuit)必须多次使用的制程，随着摩尔定律(moore's law)的电路线宽越小，cmp的要求越严苛，而且次数越多。以世界最大的晶圆代工企业，中国台湾集成电路(tsmc)为例，其7nm制程需把直径为300mm(12吋)的ic晶圆进行cmp数十次，每次cmp的抛光速率要快且平，ic晶圆上没有刮痕，这样才能从完整的ic晶圆中切出小指甲尺寸的芯片，内含数十层总长超过十公里的铜导线，连接硅基材表面数十亿个晶体管(transistors)，使芯片以0或1运算，成为cpu/gpu/npu等用于手机、计算机、机器人、互联网等的硬件计算器。cmp不仅用于制造ic的逻辑运算体，也用于制造ic的内存(如dram、flash memories等)，甚至硅晶圆本身，乃至于存储器(如硬盘)，总之，c...
【技术保护点】
1.一种单晶金字塔钻石碟，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的钻石碟，其特征在于，该单晶钻石片的厚度介于1毫米至5毫米之间。
3.根据权利要求1所述的钻石碟，其特征在于，该单晶钻石尖锥为金字塔状。
4.根据权利要求1所述的钻石碟，其特征在于，该单晶钻石尖锥是以雷射雕刻而成。
5.根据权利要求1所述的钻石碟，其特征在于，该单晶钻石尖锥相对该单晶钻石片的底座的上表面的最高突出高度小于60微米的数量介于300至5000之间。
6.根据权利要求1所述的钻石碟，其特征在于，该单晶钻石尖锥的一个侧面和相对侧面之间...
【技术特征摘要】
1.一种单晶金字塔钻石碟，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的钻石碟，其特征在于，该单晶钻石片的厚度介于1毫米至5毫米之间。
3.根据权利要求1所述的钻石碟，其特征在于，该单晶钻石尖锥为金字塔状。
4.根据权利要求1所述的钻石碟，其特征在于，该单晶钻石尖锥是以雷射雕刻而成。
5.根据权利要求1所述的钻石碟，其特征在于，该单晶钻石尖锥相对该单晶钻石片的底座的上表面的最高突出高度小于60微米的数量介于300至5000之间。
6.根据权利要求1所述的钻石碟，其特征在于，该单晶钻石尖锥的一个侧面和相对侧面之间的角度介于60度至120度之间。
7.根据权利要求1所述的钻石碟，其特征在于，该单晶钻石尖锥之间的间距为该单晶钻石尖锥的底面的边长的1倍至10倍之间。
8.根据权利要求1所述的钻石碟，其特征在于，该些单晶钻石尖锥具有顶部平台。
9.根据权利要求8所述的钻石碟，其特征在于，该顶部平台的边长大于20微米，且该单晶钻石尖锥的底面的边长大于40微米。
10.根据权利要求1所述的钻石碟，其特征在于，在单一该单晶钻石片中的该单晶钻石尖锥的数量介于10至400个。
11.根据权利要求1所述的钻石碟，其特征在于，该单晶钻石片为边长介于4毫米至10毫米之间的方形或矩形。
12.根据权利要求1所述的钻石碟，其特征在于，该单晶钻石片是以高压法或气相法所形成。
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