【技术实现步骤摘要】
本专利技术半导体机械制造领域，涉及一种研磨结构，尤其涉及一种CMP研磨垫修整结构。
技术介绍
化学机械研磨(CMP)是一个通过化学反应过程和机械研磨过程共同作用的工艺。研磨过程中研磨头施加一定的压力在晶圆背面使晶圆正面紧贴研磨垫。同时研磨头带动晶圆和研磨垫同方向旋转，使晶圆正面与研磨垫产生机械摩擦。在研磨过程中通过一系列复杂的机械和化学作用去除晶圆表面的一层薄膜，从而达到晶圆平坦化的目的。为了增加晶圆与研磨垫的摩擦力以及提高研磨液的分布均匀性，如图I所示，目前主流的研磨垫I表面都带有成同心圆分布的沟槽。在研磨过程中由于晶圆与研磨垫有机 械摩擦，研磨垫的表面物质不可避免的有损耗。随着研磨时间的增加，损耗也增加，研磨垫的沟槽会逐渐变浅。同时研磨过程中研磨液中的微小研磨颗粒会填充沟槽，使研磨垫表面变得更加平滑。这些都不利于晶圆与研磨垫的摩擦以及提高研磨液的分布均匀性，因此必须使用研磨垫修整器对研磨垫进行修复，保持研磨垫表面的粗糙度。目前主流的修整器成圆形，其修整面一般用金刚石镶嵌。一般情况下，在研磨晶圆的过程中修整器同时在研磨垫表面滑动，利用金刚石修整面和研磨垫的摩擦...
【技术保护点】
一种CMP研磨垫修整结构，包括修整器和研磨垫，所述修整器包括修整面，所述修整面置于所述研磨垫的上表面的上方，所述研磨垫上表面的形状为圆形，所述研磨垫的上表面上设有若干条圆形沟槽，其特征在于，所述修整器的修整面上设有若干条的条状研磨带，所述条状研磨带的宽度小于或等于所述研磨垫上表面的圆形沟槽的宽度，所述若干条的条状研磨带间的间距等于所述研磨垫上表面的若干条圆形沟槽间的间距。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邓镭，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。