一种研磨垫调整器制造技术

本实用新型专利技术提供一种研磨垫调整器包括：第一调整盘及第二调整盘，第一调整盘表面设置有第一尺寸的磨料颗粒，第二调整盘表面设置有第二尺寸的磨料颗粒，第一调整盘及第二调整盘中央设置有通孔，其中，第一尺寸小于第二尺寸。本实用新型专利技术的目的在于提供一种研磨垫调整器，用于解决现有技术中研磨垫表面不均匀，研磨效果差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种研磨垫调整器，特别是涉及一种双调整盘研磨垫调整器及其研磨装置。
技术介绍
晶圆制造中，随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小，光刻(Lithography)技术对晶圆表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越来越高。化学机械研磨亦称为化学机械抛光，其原理是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术，是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。目前，在进行300mm化学机械研磨(CMP，ChemicalMechanicalPolishing)时，由于研磨时研磨垫在外力的驱动下做旋转运动，位于研磨垫边缘的线速度远大于位于研磨垫中心的线速度，在使用调整盘对研磨垫各个区域进行相同条件的调节时，研磨垫的边缘相较于其他部位更容易被磨损掉，在使用一段时间后，研磨垫中心部位的厚度会远大于其他部位的厚度，而边缘的厚度会远小于其他部位的厚度。研磨垫的表面不平整，必定会导致被研磨晶片在完成研磨后的表面也不平整，影响整个晶片的研磨均匀性。同时，为了保证研磨的速率本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种研磨垫调整器，其特征在于，所述研磨垫调整器包括：第一调整盘及第二调整盘，所述第一调整盘表面设置有第一尺寸的磨料颗粒，所述第二调整盘表面设置有第二尺寸的磨料颗粒，所述第一调整盘及第二调整盘中央设置有通孔，其中，所述第一尺寸小于所述第二尺寸。

【技术特征摘要】
1.一种研磨垫调整器，其特征在于，所述研磨垫调整器包括：第一调整盘及第二调整盘，所
述第一调整盘表面设置有第一尺寸的磨料颗粒，所述第二调整盘表面设置有第二尺寸的磨
料颗粒，所述第一调整盘及第二调整盘中央设置有通孔，其中，所述第一尺寸小于所述第
二尺寸。
2.根据权利要求1所述的研磨垫调整器，其特征在于：所述第一尺寸的磨料颗粒的直径尺寸
范围为70～80μm，所述第二尺寸的磨料颗粒的直径尺寸范围为120～130μm。
3.根据权利要求1所述的研磨垫调整器，其特征在于：所述第一尺寸的磨料颗粒的相邻两颗
磨料颗粒中心之间的距离范围为200～250μm，所述第二尺寸的磨料颗粒的相邻两颗磨料
颗粒中心之间的距离范围为350～400μm。
4.根据权利要求1所述的研磨垫调整器，其特征在于：所述调整盘的直径为15-16cm。
5.根据权利要求1所述的研磨垫调整器，其特征在于：还包括两个旋转电机、两个扫描电机
以及两个机械臂；所述电机位于研磨垫的一侧与所述机械臂连接，其中，所述机械臂包括
上层机械臂和下层机械臂；所述上层机械臂的一端与所述第一调整盘连接，另一端与第一
旋转电机以及第一扫描电机连接；所述下层机械臂...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11