【技术实现步骤摘要】
一种新型研磨下盘结构
本技术涉及一种新型研磨下盘结构，属于晶片研磨加工领域。
技术介绍
晶体块出厂时，其表面都是比较粗糙的，需要通过研磨机进行进行研磨。用于晶片研磨加工的研磨机，在加工过程中，研磨上盘与研磨下盘在研磨晶片时，会有研磨砂液以及细碎的晶片飞溅，造成工作环境的污染，由于研磨液属于化学制剂，晶片碎屑又过于碎小，难以清理造成周围环境的污染。且随着晶片产业的迅速发展，目前对晶片研磨的技术要求越来越高。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对以上弊端提供一种新型研磨下盘结构，在提高研磨精度的同时，避免了在研磨过程中研磨砂液以及细碎的晶片飞溅的现象，改善工作效果，提高工作效率。为解决上述技术问题，本技术的技术方案是:一种新型研磨下盘结构，包括研磨下盘，其中，所述研磨下盘上表面沿周向均匀分布有多条“S”型刀片，所述“S”型刀片间所成角度Θ为30度；所述研磨下盘边缘沿圆周设置有多个导流孔，所述导流孔在研磨下盘内呈倾斜设置，所述导流孔与研磨下盘下表面所成角度δ为45度，所述导流孔上孔口设有封口件；所述研磨下盘外侧设有环形挡块，所述环形挡块与研磨下盘连接处设有密封构件，所述密封构件由两个“N”型密封环与一个“Ζ”型密封环组成，呈多重密封结构，三个密封环间间隙构成迷宫密封。一种新型研磨下盘结构，其中，所述“S”型刀片的数量为12条。一种新型研磨下盘结构，其中，所述两个“N”型密封环位于“Ζ”型密封环上下两端。工作方法:使用时，研磨下盘呈顺时针旋转研磨，研磨砂液以及细碎的晶片飞溅时被周围的环形挡块阻挡，落在研磨下盘上。研磨结束后，将研磨好的晶片取出，将导流孔上的...
【技术保护点】
一种新型研磨下盘结构，包括研磨下盘，其特征在于，所述研磨下盘上表面沿周向均匀分布有多条“S”型刀片，所述“S”型刀片间所成角度θ为30度；所述研磨下盘边缘沿圆周设置有多个导流孔，所述导流孔在研磨下盘内呈倾斜设置，所述导流孔与研磨下盘下表面所成角度δ为45度，所述导流孔上孔口设有封口件；所述研磨下盘外侧设有环形挡块，所述环形挡块与研磨下盘连接处设有密封构件，所述密封构件由两个“N”型密封环与一个“Z”型密封环组成，呈多重密封结构，三个密封环间间隙构成迷宫密封。
【技术特征摘要】
1.一种新型研磨下盘结构，包括研磨下盘，其特征在于，所述研磨下盘上表面沿周向均匀分布有多条“S”型刀片，所述“S”型刀片间所成角度Θ为30度；所述研磨下盘边缘沿圆周设置有多个导流孔，所述导流孔在研磨下盘内呈倾斜设置，所述导流孔与研磨下盘下表面所成角度δ为45度，所述导流孔上孔口设有封口件；所述研磨下盘外侧设有环形挡块，所述环形挡块...
【专利技术属性】
技术研发人员：聂金根，
申请(专利权)人：镇江市港南电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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