一种硅晶棒掏孔专用刀具制造技术

本实用新型专利技术涉及一种硅晶棒掏孔专用刀具。一种硅晶棒掏孔专用刀具，包括圆筒形的刀具基体，刀具侧壁的一端设有圆形的刀具基座，刀具基座的圆心部位设有轴孔，刀具基座上设有多个连接孔呈圆周形均布在轴孔的周围，所述的刀具侧壁的另一端设有多个凸起的切削刃，相邻的两个切削刃之间设有间隙，其特征在于：所述的间隙为圆弧形，所述的切削刃的断面为圆弧形。本实用新型专利技术的有益效果是：由于采用圆弧形的切削刃和间隙，加大了切削的工作面积，切削过程趋向平稳，克服了因为刀具应力集中所造成的单晶碎裂及出刀崩边问题，并且降低了刀具的磨损，提高了生产效率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种硅晶棒机械加工设备，特别是一种硅晶棒掏孔专用刀具。
技术介绍
目前，随着直拉硅单晶直径的不断增大，其衍生产品类型不断增多，对硅单晶的加工方法拉出了新的要求。公知的掏孔刀具都是仿照水钻结构进行制造，刀口截面为矩形，即刀口为平底结构，利用刀具旋转对硅单晶进行切削。这种刀具结构符合常规设计思路，加工工艺简单，但是，在切割过程中在刀口直角存在应力集中问题，容易使单晶产生碎裂并在突然出刀时产生崩边，另外此结构在加工过程中仅端面平面磨料参与切削，刀具磨损大，效率较低。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种解决因为刀具应力集中所造成的单晶碎裂及出刀崩边问题，而且能降低刀具磨损，提高生产效率的硅晶棒掏孔专用刀具。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案是一种硅晶棒掏孔专用刀具，包括圆筒形的刀具侧壁，刀具侧壁的一端设有圆形的刀具基座，刀具基座的圆心部位设有轴孔，刀具基座上设有多个连接孔呈圆周形均布在轴孔的周围，所述的刀具侧壁的另一端设有多个凸起的切削刃，相邻的两个切削刃之间设有间隙，所述的间隙为圆弧形，所述的切削刃的断面为圆弧形。所述的切削刃的厚度大于刀具侧壁的厚度。所述的切削刃表面镶满金刚石颗粒。本技术的有益效果是由于采用圆弧形的切削刃和间隙，加大了切削的工作面积，切削过程趋向平稳，克服了因为刀具应力集中所造成的单晶碎裂及出刀崩边问题，并且降低了刀具的磨损，提高了生产效率。附图说明图1是本技术的剖面示意图。图2是图1中A部位的放大示意图。图3是图1中B部位的放大示意图。图中，1、刀具基座，2、刀具侧壁，3、切削刃，4、轴孔，5、间隙，6、连接孔。具体实施方式本技术为一种硅晶棒掏孔专用刀具，由于采用圆弧形的切削刃和间隙，加大了切削的工作面积，切削过程趋向平稳，克服了因为刀具应力集中所造成的单晶碎裂及出刀崩边问题，并且降低了刀具的磨损，提高了生产效率。以下结合附图对本技术做进一步说明3 具体实施例，如图1、图2、图3所示，一种硅晶棒掏孔专用刀具，包括圆筒形的刀具侧壁2，刀具侧壁2的一端设有圆形的刀具基座1，刀具基座1的圆心部位设有轴孔4与机床的转轴相联接，在轴孔4的周围呈圆周形均勻分布有4个连接孔6，用螺栓穿过连接孔 6将本技术固定到机床上，机床的转轴将带动本技术一起转动，刀具侧壁2的另一端设有多个凸起的表面镶满金刚石颗粒的切削刃3，切削刃3的断面为圆弧形，切削刃3的厚度大于刀具侧壁2的厚度，这样增大了切削的工作面积，相邻的两个切削刃3之间设有圆弧形的间隙5，克服了应力集中的问题。由于采用圆弧形的切削刃和间隙，加大了切削的工作面积，切削过程趋向平稳，克服了因为刀具应力集中所造成的单晶碎裂及出刀崩边问题， 并且降低了刀具的磨损，提高了生产效率。权利要求1.一种硅晶棒掏孔专用刀具，包括圆筒形的刀具侧壁(2)，刀具侧壁(2)的一端设有圆形的刀具基座(1)，刀具基座(1)的圆心部位设有轴孔(4)，刀具基座(1)上设有多个连接孔 (6)呈圆周形均布在轴孔(4)的周围，所述的刀具侧壁(2)的另一端设有多个凸起的切削刃 (3)，相邻的两个切削刃(3)之间设有间隙(5)，其特征在于所述的间隙(5)为圆弧形，所述的切削刃(3)的断面为圆弧形。2.根据权利要求1所述的一种硅晶棒掏孔专用刀具，其特征在于所述的切削刃(3)的厚度大于刀具侧壁(2)的厚度。3.根据权利要求1所述的一种硅晶棒掏孔专用刀具，其特征在于所述的切削刃(3)表面镶满金刚石磨料。专利摘要本技术涉及一种硅晶棒掏孔专用刀具。一种硅晶棒掏孔专用刀具，包括圆筒形的刀具基体，刀具侧壁的一端设有圆形的刀具基座，刀具基座的圆心部位设有轴孔，刀具基座上设有多个连接孔呈圆周形均布在轴孔的周围，所述的刀具侧壁的另一端设有多个凸起的切削刃，相邻的两个切削刃之间设有间隙，其特征在于所述的间隙为圆弧形，所述的切削刃的断面为圆弧形。本技术的有益效果是由于采用圆弧形的切削刃和间隙，加大了切削的工作面积，切削过程趋向平稳，克服了因为刀具应力集中所造成的单晶碎裂及出刀崩边问题，并且降低了刀具的磨损，提高了生产效率。文档编号B28D1/14GK202213063SQ201120315110公开日2012年5月9日 申请日期2011年8月26日 优先权日2011年8月26日专利技术者张学强, 王雷雷, 荆新杰, 董士杰, 赵世锋 申请人:河北宇晶电子科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张学强，赵世锋，荆新杰，王雷雷，董士杰，
申请(专利权)人：河北宇晶电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：