【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种用于单晶硅热场的加热器，用于合理控制拉晶过程中热场的纵向温度梯度。
技术介绍
在电子、光伏等行业领域中，硅晶体的应用已经成为发展的趋势。直拉(CZ)法是目前是单晶硅生长的主要方法，在晶体生长的过程中要合理的设计热场的结构，使热场横向的温度梯度尽量的平缓，纵向的温度梯度适当的增大，这样可以保证晶体结晶前沿在合理的过冷度范围内快速平稳的生长。在直拉硅单晶生长的过程中，需要为结晶前提供一定的温度梯度，要使晶体快速的生长就要保证有足够的纵向温度梯度(过冷度)，要使晶体稳定的生长，就要使结晶前沿横向的温度梯度较小。公知的直拉单晶热场加热器普遍采用均勻的圆筒结构，虽然可以提供合理的横向温度梯度，而在纵向温度梯度控制上有所欠缺，导致成晶区域狭窄，为实际生产带来难度。
技术实现思路
本技术需要解决的技术问题是提供一种为结晶前提供一定的温度梯度的加热器。为解决上述技术问题，本技术所采取的技术方案是一种用于单晶硅热场的加热器，包括两个支撑脚和连接配装在两个支撑脚之间的加热片，加热片为上、下连续回绕的蛇形且回绕的加热片之间留有间隙，所述的上、下回绕的加热片为上宽下窄的设置。所述的加热片为圆通状，从上部到下部按照比例递减。所述的两个加热器支撑脚分别与电源的正负电极相连接。由于采用了上述技术方案，本技术所取得的技术进步在于本技术采用采用非均勻的加热器加热片，可以使加热器的高温区域向下移动，从而使加热器上部的温度梯度加大，同时使适合晶体生长的温度区域加大，结晶前沿横向的温度梯度适当平稳。附图说明图1是本技术的结构示意图。具体实施方式以下结合附图对本技术做进一步详细说明如图1所...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李宁，赵世锋，张卫中，王汉召，金莹，李雷，
申请(专利权)人：河北宇晶电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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