【技术实现步骤摘要】
本技术涉及用于防止硅液飞溅的保护装置，特别是一种用用于大直径直拉硅单晶化料过程中硅料飞溅的防护。
技术介绍
在电子、光伏等行业领域中，硅晶体的应用已经成为发展的趋势。直拉(CZ)法是目前是单晶硅生长的主要方法，在生长大直径硅单晶过程中，随着投料量的增大，在化料过程中硅料塌料所产生的飞溅现象也越来越明显，微小的硅粒对晶体生长带来很大的不确定性。在拉制小直径硅单晶的过程中，由于热场较小，投料量较小，在化料的过程中塌料时硅料翻贱所造成的影响较小，基本不会对拉晶造成重大影响。但是在生长大直径硅单晶的时候，由于热场尺寸较大，在化料的过程中塌料时硅料翻贱所造成的影响较大，对晶体生长产生较大影响。公知的防溅硅方法是采用可升降的热屏机构，在化料的时候将热屏升起， 化料完后再将热屏放下，这在一定程度上提高了化料的功率，也增加了单晶炉和配套热场的复杂性。
技术实现思路
本技术需要解决的技术问题是提供一种能够在硅液熔化时，防止硅液飞溅的保护装置。为解决上述技术问题，本技术所采取的技术方案是一种用于防止硅液飞溅的保护装置，其结构中包括其结构中包括由石英制成的防护罩和防护罩连接杆，所述的防护罩的罩体的内、外表面均为半球状，在罩体的外表面中心位置上固装有支撑板，支撑板通过连接销与防护罩连接杆进行配装。其中，所述的防护罩连接杆由杆体和连接头一体构成，在杆体的上端设有上连接孔，在连接头的端部开有卡槽，在卡槽两侧的连接头上开设有对应的下连接孔。由于采用了上述技术方案，本技术所取得的技术进步在于本技术采用石英罩作为防溅硅的护罩，可以有效的改善塌料时硅料翻贱所造成的影响，由于石英的反射率较高，可以有...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李宁，楚信博，张卫中，李雷，金莹，王汉召，
申请(专利权)人：河北宇晶电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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