防止液体飞溅的清洗装置及具有该装置的清洗系统制造方法及图纸

技术编号:8480019 阅读:372 留言:0更新日期:2013-03-27 22:37
本发明专利技术涉及半导体清洗工艺技术领域,具体涉及一种防止液体飞溅的清洗装置及具有该装置的清洗系统。该防止液体飞溅的清洗装置,包括上壳和下壳,上壳可相对下壳上下运动,上壳包括上壳内壁和上壳外壁,上壳内壁和上壳外壁之间形成中空腔,上壳内壁上设有多个进液孔,进液孔与中空腔相通。本发明专利技术提供的防止液体飞溅的清洗装置及具有该装置的清洗系统,通过在上壳上加设进液孔和中空腔,可实现在被清洗物的高速旋转过程中,化学试剂和/或清洗下来的颗粒通过进液孔进入中空腔内并通过排液孔排出,获得被清洗物的最佳的清洁效果;并且清洗装置和清洗系统的结构简单易清洗,工艺易实现,废液还便于收集。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体清洗工艺
,具体涉及一种防止液体飞溅的清洗装置及 具有该装置的清洗系统。
技术介绍
随着硅片晶圆直径的增加和特征尺寸的减小,对硅片表面的洁净度的要求也越来 越高。目前的清洗设备主要通过在高速旋转的晶片表面上喷射清洗液来达到清洗的目的。 但是在高速旋转的过程中,清洗液会在离心力的作用下被甩出而打在清洗腔侧壁上,其被 清洗腔侧壁反弹后会重新飞溅到晶片表面,使晶片受到污染,如果不能及时防止这种污染, 会严重影响清洗的效果。目前,一般是通过在清洗腔内添加额外的部件使得清洗腔结构复 杂来防止这种污染的,但是这样会使得后续对清洗腔的清洗工作不易进行。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是提供一种防止液体飞溅的清洗装置及具有该装置的 清洗系统,以克服现有的晶片清洗装置和清洗系统不能有效防止在晶片高速旋转过程中, 化学试剂和清洗下来的颗粒甩出打在上壳侧壁又重新飞溅到晶片表面而对晶片造成污染 以及晶片清洗装置结构复杂不宜清洗的缺陷。(二)技术方案为了解决上述技术问题,本专利技术提供了一种防止液体飞溅的清洗装置包括上壳和 下壳,所述上壳可相对下壳上下运本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止液体飞溅的清洗装置,其特征在于,包括上壳和下壳,所述上壳可相对下壳上下运动,所述上壳包括上壳内壁和上壳外壁,所述上壳内壁和所述上壳外壁之间形成中空腔,所述上壳内壁上设有多个进液孔,所述进液孔均与所述中空腔相通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘效岩吴仪冯晓敏
申请(专利权)人:北京七星华创电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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