本实用新型专利技术公开了一种硅单晶圆型锥籽晶专用夹持内套，用于大直径直拉硅单晶生长过程中锥籽晶的固定。所述夹持内套由两个半管相互扣合而成，扣合处的两个半管上分别设有相互配合定位的凹槽和凸块，夹持内套的外表面的一端为圆柱形面，其另一端为圆台形面，并且圆柱形外表面的直径与圆台形外表面大端的直径相等；夹持内套的内腔的两端分别为大圆柱形面和小圆柱形面，内腔中间为分别与大圆柱形面和小圆柱形面圆滑过渡的圆台形面，并且内腔的大圆柱形面与圆柱形外表面的位置相对应。本实用新型专利技术便于拆卸和安装，增加了工作时的受力面积，有效的增强了整个系统的安全性和稳定性。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种硅单晶圆型锥籽晶专用夹持内套，用于大直径直拉硅单晶生长过程中锥籽晶的固定。
技术介绍
直拉法是目前单晶硅生长的主要方法，而锥籽晶是直拉硅单晶制备的最主要耗材之一，在晶体生长的过程中籽晶承受着全部晶体的重量。随着直拉硅单晶直径的不断增大， 籽晶夹具承受的重量越来越大，因此难以在晶体重量较大的情况下保证对中的准确性和安全性。公知的夹具内套主要是针对小直径直拉硅单晶生长的，但是由于籽晶与夹具内套的接触面积较小，当硅单晶直径变大时会导致局部受力增大，因此无法保证晶体生长过程系统的安全性。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种能够增大受力面积、保证整个连接系统的安全性和稳定性的硅单晶圆型锥籽晶专用夹持内套。为解决上述技术问题，本技术所采取的技术方案是一种硅单晶圆型锥籽晶专用夹持内套，由两个半管相互扣合而成，扣合处的两个半管上分别设有相互配合定位的凹槽和凸块，其关键在于所述夹持内套的外表面的一端为圆柱形面，其另一端为圆台形面，并且圆柱形外表面的直径与圆台形外表面大端的直径相等；所述夹持内套的内腔的两端分别为大圆柱形面和小圆柱形面，内腔中间为分别与大圆柱形面和小圆柱形面圆滑过渡的圆台形面，并且内腔的大圆柱形面与圆柱形外表面的位置相对应。所述凹槽和凸块均设置在所述夹持内套的圆柱形外表面的一端。采用上述技术方案所产生的有益效果在于本技术所涉及的锥籽晶专用夹持内套的整体形状为两个相互扣合的半管，便于拆卸和安装，使整个系统在不影响安全性的同时增强了灵活程度，而且，由于内套采用分瓣配合方式，可以有效的缓解使用过程中热应力对机构的影响，使夹具本身的使用寿命大幅度提高；内套的内外圆锥面均采用一定角度的圆台接触面，增加了工作时的受力面积，增强了整个系统的安全性和稳定性，有效的改善了由于夹具原因导致的晶体生长时的晶向偏移。附图说明图1是本技术的结构示意图；图2是本技术的剖视图；图3是本技术与籽晶夹具和锥籽晶配合后的示意图。具体实施方式3以下结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。如图1、2所示为本技术的结构示意图，一种硅单晶圆型锥籽晶专用夹持内套，由两个半管相互扣合而成，扣合处的两个半管上分别设有相互配合定位的凹槽和凸块， 其关键在于所述夹持内套的外表面的一端为圆柱形面，其另一端为圆台形面，并且圆柱形外表面的直径与圆台形外表面大端的直径相等；所述夹持内套的内腔的两端分别为大圆柱形面和小圆柱形面，内腔中间为分别与大圆柱形面和小圆柱形面圆滑过渡的圆台形面， 并且内腔的大圆柱形面与圆柱形外表面的位置相对应。所述凹槽和凸块均设置在所述夹持内套的圆柱形外表面的一端。如图3所示为本技术与籽晶夹具和锥籽晶装配后的示意图。其中，籽晶夹具 8、夹持内套9和锥籽晶10由外而内相互配合，将整个机构竖直正向放置，由于重力的作用会使整个机构自行对中并结合紧密。权利要求1.一种硅单晶圆型锥籽晶专用夹持内套，由两个半管相互扣合而成，扣合处的两个半管上分别设有相互配合定位的凹槽和凸块，其特征在于所述夹持内套的外表面的一端为圆柱形面，其另一端为圆台形面，并且圆柱形外表面的直径与圆台形外表面大端的直径相等；所述夹持内套的内腔的两端分别为大圆柱形面和小圆柱形面，内腔中间为分别与大圆柱形面和小圆柱形面圆滑过渡的圆台形面，并且内腔的大圆柱形面与圆柱形外表面的位置相对应。2.根据权利要求1所述的一种硅单晶圆型锥籽晶专用夹持内套，其特征在于所述凹槽和凸块均设置在所述夹持内套的圆柱形外表面的一端。专利摘要本技术公开了一种硅单晶圆型锥籽晶专用夹持内套，用于大直径直拉硅单晶生长过程中锥籽晶的固定。所述夹持内套由两个半管相互扣合而成，扣合处的两个半管上分别设有相互配合定位的凹槽和凸块，夹持内套的外表面的一端为圆柱形面，其另一端为圆台形面，并且圆柱形外表面的直径与圆台形外表面大端的直径相等；夹持内套的内腔的两端分别为大圆柱形面和小圆柱形面，内腔中间为分别与大圆柱形面和小圆柱形面圆滑过渡的圆台形面，并且内腔的大圆柱形面与圆柱形外表面的位置相对应。本技术便于拆卸和安装，增加了工作时的受力面积，有效的增强了整个系统的安全性和稳定性。文档编号C30B29/06GK202214451SQ20112031509公开日2012年5月9日 申请日期2011年8月26日 优先权日2011年8月26日专利技术者刘云鹏, 曹中谦, 李彦林, 李永辉, 荆新杰 申请人:河北宇晶电子科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曹中谦，李彦林，荆新杰，李永辉，刘云鹏，
申请(专利权)人：河北宇晶电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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