【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种单晶硅热场，包括炉体、坩埚、加热器和导流筒；所述坩埚设于所述炉体内；所述加热器设于所述炉体与所述坩埚之间；所述导流筒固定在所述炉体内部且位于所述坩埚的上方；所述导流筒包括内筒体（11）及套设在所述内筒体（11）外部的外筒体（12）。本技术所提供的单晶硅热场，通过内、外筒可分离的导流筒设计，避免由于所述导流筒与所述坩埚之间的空隙过大造成的氩气与挥发物反应不充分，从而避免由于单晶硅生长环境的污染，提高单晶硅的成品率和生产效率。【专利说明】单晶硅热场
本技术涉及单晶硅生产设备，尤其涉及一种单晶硅热场。
技术介绍
随着电子、半导体、光伏产业的发展，各种晶体材料，特别是以单晶硅为代表的高科技附加值材料及其相关高技术产业的发展，成为当代信息技术产业的支柱，并使信息产业成为全球经济发展中增长最快的先导产业。单晶硅作为一种极具潜能，亟待开发利用的高科技资源，正引起越来越多的关注和重视。与此同时，鉴于常规能源供给的有限性和环保压力的增加，世界上许多国家正掀起开发利用太阳能的热潮并成为各国制定可持续发展战略斩重要内容。在跨入21世纪门槛后，世界大多...
【技术保护点】
一种单晶硅热场，包括炉体、坩埚、加热器和导流筒；所述坩埚设于所述炉体内；所述加热器设于所述炉体与所述坩埚之间；所述导流筒固定在所述炉体内部且位于所述坩埚的上方；其特征在于：所述导流筒包括内筒体（11）及套设在所述内筒体（11）外部的外筒体（12）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：范桂林，李茂欣，
申请(专利权)人：上海磐盟电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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