单晶硅热场制造技术

本实用新型专利技术公开了一种单晶硅热场，包括炉体、坩埚、加热器和导流筒；所述坩埚设于所述炉体内；所述加热器设于所述炉体与所述坩埚之间；所述导流筒固定在所述炉体内部且位于所述坩埚的上方；所述导流筒包括内筒体（11）及套设在所述内筒体（11）外部的外筒体（12）。本实用新型专利技术所提供的单晶硅热场，通过内、外筒可分离的导流筒设计，避免由于所述导流筒与所述坩埚之间的空隙过大造成的氩气与挥发物反应不充分，从而避免由于单晶硅生长环境的污染，提高单晶硅的成品率和生产效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种单晶硅热场，包括炉体、坩埚、加热器和导流筒；所述坩埚设于所述炉体内；所述加热器设于所述炉体与所述坩埚之间；所述导流筒固定在所述炉体内部且位于所述坩埚的上方；所述导流筒包括内筒体（11）及套设在所述内筒体（11）外部的外筒体（12）。本技术所提供的单晶硅热场，通过内、外筒可分离的导流筒设计，避免由于所述导流筒与所述坩埚之间的空隙过大造成的氩气与挥发物反应不充分，从而避免由于单晶硅生长环境的污染，提高单晶硅的成品率和生产效率。【专利说明】单晶硅热场
本技术涉及单晶硅生产设备，尤其涉及一种单晶硅热场。
技术介绍
随着电子、半导体、光伏产业的发展，各种晶体材料，特别是以单晶硅为代表的高科技附加值材料及其相关高技术产业的发展，成为当代信息技术产业的支柱，并使信息产业成为全球经济发展中增长最快的先导产业。单晶硅作为一种极具潜能，亟待开发利用的高科技资源，正引起越来越多的关注和重视。与此同时，鉴于常规能源供给的有限性和环保压力的增加，世界上许多国家正掀起开发利用太阳能的热潮并成为各国制定可持续发展战略斩重要内容。在跨入21世纪门槛后，世界大多数国家踊跃参与以至在全球范围掀起了太阳能开发利用的“绿色能源热”，一个广泛的大规模的利用太阳能的时代正在来临，太阳能级单晶硅产品也将因此炙手可热。单晶硅在生产过程中多采用直拉法生产工艺:将多晶硅原料放入石英坩埚，加热熔化。调整温度到硅的凝固点，将籽晶(晶体生长的种子)与熔硅接触，控制温度和拉速(籽晶向上提拉的速度)，使熔硅从籽晶长大到目标直径，提交拉速使晶体保持等直径生长。坩埚中的熔硅快用完时，调整温度和拉速，使晶体直径逐渐缩小，直至成为锥形。最后提升晶体使之脱离熔硅液面，完成一次晶体生长的过程。随着生产的需要，热场中会采用不同型号和尺寸的坩埚，这样，就造成了坩埚内壁与导流筒外壁之间的缝隙会发生变化，造成产品品质不统一，不良率高等问题。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种单晶硅热场。本技术所提供的单晶硅热场，包括炉体、坩埚、加热器和导流筒；所述坩埚设于所述炉体内；所述加热器设于所述炉体与所述坩埚之间；所述导流筒固定在所述炉体内部且位于所述坩埚的上方；所述导流筒包括内筒体(11)及套设在所述内筒体(11)外部的外筒体(12)。所述单晶硅热场还包括一环形盖体(10)，所述环形盖体(10)固定在所述炉体的内壁上；所述内筒体(11)和外筒体(12 )均悬挂在所述环形盖体(10 )的内圈。所述环形盖体(10)靠近内圈边缘的位置设有第一环形凹槽(101 )，所述外筒体(12)设有第一环形边缘(126)，所述第一环形边缘(126)的下部上设有与所述第一环形凹槽(101)相配合的第一环形凸缘(124)。所述第一环形边缘(126)的上部设有第二环形凹槽(125)，所述内筒体(11)设有第二环形边缘(112)，所述第二环形边缘(112)的下部设有与所述第二环形凹槽(125)形配合的第二环形凸缘(113)。所述外筒体(12)还包括外筒底壁(122)和外筒侧壁(121)；所述内筒体(11)还包括内筒侧壁；所述外筒底壁(122)、外筒侧壁(121)和内筒侧壁之间形成一三角形空隙(130)。所述外筒底壁(122)的边缘设有第三环形凸缘(123);所述内容侧壁的下部边缘设有与所述第三环形凸缘(123)相配合的第三环形凹槽(111)。本技术所提供的单晶硅热场，通过内、外筒可分离的导流筒设计，避免由于所述导流筒与所述坩埚之间的空隙过大造成的氩气与挥发物反应不充分，从而避免由于单晶娃生长环境的污染，提闻单晶娃的成品率和生广效率。【专利附图】【附图说明】图1为本技术实施例所述的单晶硅热场的导流筒装配示意图；图2为本技术实施例所述的单晶硅热场的导流筒结构示意图。【具体实施方式】为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1或图2所示，本实施例提供的单晶硅热场，包括炉体、坩埚、加热器和导流筒；所述坩埚设于所述炉体内；所述加热器设于所述炉体与所述坩埚之间；所述导流筒固定在所述炉体内部且位于所述坩埚的上方；所述导流筒包括内筒体11及套设在所述内筒体11外部的外筒体12。本领域技术人员可以理解，在单晶硅的生长过程中，炉体内会充入氩气，氩气在炉体内形成气流，将单晶硅在生长过程中产生的挥发物带出到炉体之外。本领域技术人员可以理解，所述内筒体11的形状及尺寸需随着单晶硅产品的尺寸进行调整，单晶硅的直径越大，需要所述内筒体11的内径越大；所述外筒体12的形状及尺寸需随着坩埚的尺寸进行调整，所述坩埚的直径越大，需要所述外筒体12的外壁尺寸越大，以避免由于所述导流筒与所述坩埚之间的空隙过大造成的氩气与挥发物反应不充分，从而避免由于单晶硅生长环境的污染，提高单晶硅的成品率和生产效率。将所述导流筒设置为内筒体11和外外筒体12相套设的结构，可根据需要组合不同型号和尺寸的内、外筒体12，边有以配合单晶硅和坩埚的尺寸。所述单晶硅热场还包括一环形盖体10，所述环形盖体10固定在所述炉体的内壁上；所述内筒体11和外筒体12均悬挂在所述环形盖体10的内圈。这样，可实现将所述导流筒固定在所述炉体内部且位于所述坩埚的上方。所述环形盖体10靠近内圈边缘的位置设有第一环形凹槽101，所述外筒体12设有第一环形边缘126，所述第一环形边缘126的下部上设有与所述第一环形凹槽101相配合的第一环形凸缘124。这样，可实现将所述外筒体12更加稳固的固定在所述环形盖体10上。所述第一环形边缘126的上部设有第二环形凹槽125，所述内筒体11设有第二环形边缘112，所述第二环形边缘112的下部设有与所述第二环形凹槽125形配合的第二环形凸缘113。这样，可实现将所述内筒体11更加稳固的与所述外筒体12相套设。所述外筒体12还包括外筒底壁122和外筒侧壁121 ;所述内筒体11还包括内筒侧壁；所述外筒底壁122、外筒侧壁121和内筒侧壁之间形成一三角形空隙130，以达到调节导流筒形状及尺寸的目的。所述外筒底壁122的边缘设有第三环形凸缘123 ;所述内容侧壁的下部边缘设有与所述第三环形凸缘123相配合的第三环形凹槽111。这样，可使所述外筒体12和内筒体11相结合的更加稳固。最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围。【权利要求】1.一种单晶硅热场，包括炉体、坩埚、加热器和导流筒；所述坩埚设于所述炉体内；所述加热器设于所述炉体与所述坩埚之间；所述导流筒固定在所述炉体内部且位于所述坩埚的上方；其特征在于:所述导流筒包括内筒体(11)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶硅热场，包括炉体、坩埚、加热器和导流筒；所述坩埚设于所述炉体内；所述加热器设于所述炉体与所述坩埚之间；所述导流筒固定在所述炉体内部且位于所述坩埚的上方；其特征在于：所述导流筒包括内筒体（11）及套设在所述内筒体（11）外部的外筒体（12）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：范桂林，李茂欣，
申请(专利权)人：上海磐盟电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31