直拉八英寸硅单晶热场及八英寸硅单晶的生产工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种直拉八英寸硅单晶热场及八英寸硅单晶的生产工艺方法，所述护盘压片设于下护盘压片之上，下护盘压片和护盘压片之间填充有石墨毡；主保温筒的底部与下保温筒卡接，下保温筒底部与下护盘压片卡接，下护盘压片底部与炉底支撑环卡接；所述外导流筒置于导流筒支撑环上，内导流筒卡在外导流筒上，且内导流筒和外导流筒之间的间隙填充有石墨毡；本热场结构紧凑、保温性能更好、等径平均拉速提高，降低了等径功耗，节约了生产成本，提高生产效率；本发明专利技术所述八英寸硅单晶的生产工艺方法包括单晶炉清炉、装炉、抽真空，熔化料，熔接，自动引晶、放肩、等径生长及收尾，利用该方法提高了生产效率和产品成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，属于硅单晶热场及硅单晶生产工艺方法的

技术介绍
太阳能是未来最清洁、安全和可靠的能源，硅单晶太阳能电池是今后人类最重要的绿色能源之一。在现有工艺和条件下以及从电池性能上讲，硅单晶是制造太阳电池比较理想的材料，而优质参数的硅单晶是生产制作高效率太阳能电池的基本条件。国际上直拉硅单晶主流产品是Φ200πιπι，逐渐向Φ300mm过渡，研制水平已经达到 Φ400πιπι 450mm。在中国太阳能光伏领域，市场对八英寸硅片的需求增长非常大，尤其是近年来，八英寸硅单晶成为主流产品。目前，国内生产八英寸硅单晶所使用的主要还是以20英寸热场为主，按照现有技术，拉制硅单晶所使用的常规20英寸热场存在功耗高、拉速低、石墨坩埚损耗大的问题。如附图1所示现有20英寸的导流筒式热场中，热场部件包括石墨毡1-1、石墨压片1-2、排气口 1-3、下石墨保温筒1-4、下石墨支撑环1-5、中轴加长轴1-6、主石墨保温筒1-7、加热器 1-8、上支撑环1-9、中轴护套1-10、电极护套1-11、电极石英护套1-12、石墨中轴1_13、埚托 1-14、石墨坩埚1-15、石英坩埚1-16、本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种直拉八英寸硅单晶热场，包括石墨毡（１）、炉底支撑环（２）、电极护套（３）、下护盘压片（４）、石墨电极（５）、下保温筒（６）、埚托（７）、石墨坩埚（８）、加热器（９）、主保温筒（１０）、上支撑环（１１）、上保温盖（１３）、电极螺栓（１５）、石墨中轴（１６）、中轴加长轴（１７）、上保温筒（１９）、外导流筒（２０）、导流筒支撑环（２１）、内导流筒（２２）和石英坩埚（２５），主保温筒（１０）设于加热器（９）外围，加热器（９）设于石墨电极（５）上；加热器（９）中间设石墨中轴（１６），石墨中轴（１６）上设中轴加长轴（１７），中轴加长轴（１７）支撑埚托（７）；其特征在于：还包括护盘压片（２４），所述...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：雷世俊，吴雪霆，谢江帆，杨帆，陈军，
申请(专利权)人：东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：51