带导气环的晶体生长炉热场装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及单晶硅领域，尤其涉及一种晶体生长炉。一种带导气环的晶体生长炉热场装置，包括炉筒体、保温桶、加热器、石墨坩埚、石英坩埚和导流筒，所述的保温桶安装在炉筒体内，加热器安装在炉筒体的底部，所述的保温桶外包覆有保温碳毡，所述的石墨坩埚放置在保温桶内与加热器相配合，所述的石英坩埚放置在石墨坩埚内，石墨坩埚内盛有多晶硅液，所述的导流筒顶部通过密封支架固定在炉筒体上部，导流筒底部接近多晶硅液的液面，所述导流筒顶部密封连接有一圈导气环。本实用新型专利技术中的导气环让保护气体更易回流，同时可以阻止导气环外侧的氧化物杂质跟随气流飘浮到单晶硅棒或硅液中，导气环保温毡可以使晶体生长更稳定，增加了设备运转时的成晶率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及单晶硅领域，尤其涉及一种晶体生长炉。
技术介绍
单晶晶体生长炉是多晶硅转化为单晶硅工艺过程中的必备设备，而单晶硅又是光伏发电和半导体行业中的基础原料。单晶硅作为现代信息社会的关键支撑材料，是目前世界上最重要的单晶材料之一，它不仅是发展计算机与集成电路的主要功能材料，也是光伏发电利用太阳能的主要功能材料。现有的晶体生长炉中通过热场装置对晶棒进行加热使晶体生长，热场装置中包括炉筒体、保温桶、加热器、坩埚和导流筒，多晶硅原料放置在坩埚内，由加热器加热成为多晶硅液，炉筒体顶部通入保护气，导流筒顶部通过支架和密封圈固定在炉筒体上部，导流筒底部接近多晶硅液的液面，保护气在导流筒的引导下回流实现对晶棒的保护和冷却。这种结构在硅单晶拉制过程中，因保护气流比较大，所以常常会使炉筒体顶部区域的氧化物杂质跟随气流漂浮到晶棒和硅液中，造成晶棒生长停止，影响了生产效率。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种带导气环的晶体生长炉热场装置，该热场装置的导流筒顶部设有一圈导气环，导气环阻止了氧化物杂质进入单晶硅棒和多晶硅液，保证了单晶硅棒的稳定生长。本技术是这样实现的一种带导气环的晶体生长炉热本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种带导气环的晶体生长炉热场装置，包括炉筒体（１）、保温桶（２）、加热器（３）、石墨坩埚（４）、石英坩埚（５）和导流筒（６），所述的保温桶（２）安装在炉筒体（１）内，加热器（３）安装在炉筒体（１）的底部，所述的保温桶（２）外包覆有保温碳毡（７），所述的石墨坩埚（４）放置在保温桶（２）内与加热器（３）相配合，所述的石英坩埚（５）放置在石墨坩埚（４）内，石墨坩埚（４）内盛有多晶硅液（１２），所述的导流筒（６）顶部通过密封支架（８）固定在炉筒体（１）上部，导流筒（６）底部接近多晶硅液（１２）的液面，其特征是：所述导流筒（６）顶部密封连接有一圈导气环（９）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振广，
申请(专利权)人：宁夏日晶新能源装备股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：64