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本发明公开了一种直拉八英寸硅单晶热场及八英寸硅单晶的生产工艺方法，所述护盘压片设于下护盘压片之上，下护盘压片和护盘压片之间填充有石墨毡；主保温筒的底部与下保温筒卡接，下保温筒底部与下护盘压片卡接，下护盘压片底部与炉底支撑环卡接；所述外导流筒...
该专利属于东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司授权不得商用。

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