超高纯砷单晶体片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种超高纯砷单晶体片的制备方法,包括如下步骤：（1）石英管表面处理（2）超高纯砷脱氧封装（3）置于水平管式炉内（4）水平管式炉熔料和冷却结晶，本发明专利技术利用石英管封闭和砷高温熔化时自身产生的压力，达到砷熔化和晶体生长的目的，在常温过冷条件下，管内液态砷达到过冷度时生长晶体，每管生成30～60片，并以孪晶方式生成单晶片，可满足国内产品质量要求及出口质量要求，有较好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
超高纯砷是指纯度在5N以上的砷，目前未见有关超高纯砷单晶片的文献报道。由于砷的熔点在36个标准大气压(atm)下为817°C，砷的表面在空气中(常温常压下)很快氧化，即使有了单晶砷棒，也难以用切磨抛光等工艺制备高纯度砷片，要生产制备超高纯砷单晶片的难度很大。为了解决这一问题，研究在高温高压砷晶体生长特性，在封闭的石英管生长晶体
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种。本专利技术目的通过下述技术方案来实现 I、一种，包括如下步骤 (I)石英管表面处理 将石英管表面洗净，去除石英管表面的杂质； 若不去除石英管表面的杂质，则会污染砷晶体，使其纯度下降，还会产生晶体的缺陷，影响砷晶体的正常生长。(2)超高纯砷脱氧封装 将超高纯砷装入已经处理干净的石英管内，将石英管在真空条件下加热，去除砷的表面氧化膜，使砷表面显出金属光泽后，熔封石英管； 之所以在真空条件下加热，是因为 ①砷的表面在空气中(常温常压下)极易氧化，必须在真空条件加热熔化砷。②真空状态时加热砷，砷表面氧化层会发生升华而脱出(抽走)。氧化膜是氧化物，不是单质砷，是超高纯砷中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超高纯砷单晶体片的制备方法,其特征在于包括如下步骤：（1）石英管表面处理将石英管表面洗净，去除石英管表面的杂质；（2）超高纯砷脱氧封装将超高纯砷装入已经处理干净的石英管内，将石英管在真空条件下加热，去除砷的表面氧化膜，使砷表面显出金属光泽后，熔封石英管；（3）置于水平管式炉内把装有砷且密封好的石英管置于水平管式炉内；（4）水平管式炉熔料和冷却结晶4.1？把装有砷且密封好的石英管置于水平管式炉内,在36个标准大气压下，升温至820～840℃，恒温50？60min使石英管内的砷完全熔化；4.2？把已经熔化砷的石英管管式炉中拖出，放置在冷却结晶水平台上，使其自然冷却降温；4.3？？817℃以下时...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈国忠，杨卫东，
申请(专利权)人：东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：