【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于纳米材料制备
,涉及到水热反应合成纳米材料,尤其涉及哑铃状Sb2Te3-Te异质结构的水热合成方法。
技术介绍
近年来，纳米异质结构由于具备两种材料的复合特性而引起了越来越多研究者的兴趣。半导体纳米材料由于具有量子尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应，表现出独特的电子和光学性质。目前人们正从单一材料单一形貌的粒子，转向两种或多种不同材料组成的异质结构，探索其新颖的性质。基于金属-半导体异质结构可以调节材料的能带结构和电荷分布，改善材料的电学、光学与催化性能，因此成为材料科学和
的重点研究对象。·Sb2Te3是一种具有辉碲铋矿结构的层状半导体，这种化合物以及它的衍生物在常温下被认为具有最好的热电应用价值。同时，碲是一种具有O. 3eV的重要的窄禁带宽度的半导体材料，因此这种物质在高效光电以及热电方面有很大的应用潜力。这两种半导体材料组成的异质结构，能够很好的操控交界面的散射声子和总的电导率。不使用有机连结介质而将拥有不同性质或功能的纳米结构整合在一种材料中，纳米尺度异质结构材料的合成为此提供了有效的途径。与单一功能纳米材料不同，由于纳米晶...
【技术保护点】
哑铃状Sb2Te3？Te异质结构的水热合成方法，是以酒石酸为络合剂与三氯化锑形成络合物，氨水碱化，和亚碲酸钾在水合肼的还原作用下，经水热反应后离心洗涤干燥而成。
【技术特征摘要】
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