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本发明公开了一种超高纯砷单晶体片的制备方法,包括如下步骤：（1）石英管表面处理（2）超高纯砷脱氧封装（3）置于水平管式炉内（4）水平管式炉熔料和冷却结晶，本发明利用石英管封闭和砷高温熔化时自身产生的压力，达到砷熔化和晶体生长的目的，在常温过...该专利属于东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司授权不得商用。
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