一种用粉末冶金法制备高性能钽靶材的方法技术

本发明专利技术涉及半导体用高纯钽靶材的粉末冶金制备方法，尤其是一种用粉末冶金法制备高性能钽靶材的方法。其特点是，包括如下步骤：(1)将要烧结的钽粉末装入模具中；(2)将模具放入电火花烧结炉中对粉末进行放电等离子烧结；(3)烧结结束后，冷却至不超过160℃后出炉，脱模；(4)对得到的钽靶坯机械加工成所需尺寸即可。采用本发明专利技术的方法可以得到粒度均匀、无织构的内部组织，提高靶材性能，本发明专利技术方法还具有烧结温度低，可快速烧结出致密钽靶材，靶材内部晶粒均匀细小，无择优取向等特点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用粉末冶金法制备高性能钽靶材的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将要烧结的钽粉末装入模具中；(2)将模具放入电火花烧结炉中对粉末进行放电等离子烧结；(3)烧结结束后，冷却至不超过160℃后出炉，脱模；(4)对得到的钽靶坯机械加工成所需尺寸即可。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李军义，孙本双，罗文，扈百直，郑爱国，杨国启，郑金凤，张丽，
申请(专利权)人：宁夏东方钽业股份有限公司，国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心，
类型：发明
国别省市：宁夏;64