本发明专利技术公开了一种线切割晶体作图定向切割法,属于晶体加工领域，步骤依次包括：通过X射线衍射仪分别测出两条过中心的垂直交叉直线方向上的晶向偏离度；采用分量合成方法作出晶体总的晶向偏离方向；作一条过中心且与总的晶向偏离方向垂直的直线为粘接轴Z，并确定总的晶向偏离方向相对粘接轴Z的左右偏离方向；设一水平直线为标准线，保持粘接轴Z竖直方向，且晶体中轴线按照上述左右偏离方向位于标准线左/右侧，调整晶体中轴线与标准线水平夹角为S，固定晶体并按标准线方向上机切割。本发明专利技术提出一种利用现有X射线衍射定向仪实现多台线切割机和内圆切割机共用一套定向设备的定向切割方法，大大减少设备费用。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于晶体加工领域，尤其涉及定向切割方法。
技术介绍
线切割定向与内圆切割定向不同，内圆切割定向可在垂直、水平两个方向进行两维调节，而线切割定向则只能在水平方进行调节，且不可切下头片之后复测，尤其是对晶向要求比较高的晶体，极易产生错误和偏差，而晶向偏离超出要求将导致整根晶体报废。为此，线切割机厂家为每台线切割机配备了专用的定向及调节设备(价格高达30万美元左右)，在晶体上机时对晶体晶向偏离度进行测量及调整。由于此配套定向切割装置费用极高，能否用现有的独立定向设备来实现晶体在线切割机上的定向切割，而且可以达到多台线切割机和内圆切割机共用一套定向设备，就成了急待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是针对现有技术存在的问题，提出一种利用现有X射线衍射定向仪实现多台线切割机和内圆切割机共用一套定向设备的定向切割方法，大大减少设备费用。本专利技术目的通过下述技术方案来实现 一种线切割晶体作图定向切割法，步骤依次包括A)在晶体端面作任意两条过中心的垂直交叉直线X轴与Y轴，通过X射线衍射仪分别测出两条轴线方向上的晶向偏离度；B)采用分量合成方法在晶体端面作出晶体总的晶向偏离方向，偏离角度值为S=,/χ2 -I-J3 ；C)作一条过中心且与总的晶向偏离方向垂直的直线，以此直线为粘接轴Z，并确定总的晶向偏离方向相对粘接轴Z的左右偏离方向；D)设一水平直线为标准线，保持粘接轴Z竖直方向，且晶体中轴线按照上述左右偏离方向向标准线左/右侧偏转，调整晶体中轴线与标准线水平夹角为S，固定晶体并按标准线方向上机切割。作为优选方式，所述D步具体为首先将晶体按粘接轴Z方向垂直粘接在长方体切透层上，晶体中轴线与切透层长边平行，然后在长方体金属托板顶端以其长边为标准线用角度仪按晶体偏离方向量出偏离度S，画一直线标记，再将粘接好的晶体其切透层长边沿此直线标记粘接在金属托板上，之后即可上机切割。本专利技术的有益效果利用现有激光定向仪即可实现多台线切割机及内圆切割机共用一套定向设备的定向切割方法，大大减少设备费用，同时方法简单易操作，提高了工作效率。精度较高1° )，适用于晶向要求g 1°，X射线辐射时间短。附图说明3图1是实施例1的晶体端面标记示意图； 图2是实施例1的金属托板结构示意图3是实施例1的使用状态示意图； 图4是实施例2的使用状态示意其中1为晶体、11为晶体端面、3为切透层、31为切透层长边、4为托板、41为托板长边、 5为直线标记。具体实施例方式下列非限制性实施例用于说明本专利技术实施例1一种线切割晶体作图定向切割法，步骤依次包括A)在晶体端面11作任意两条过中心的垂直交叉直线X轴与Y轴，通过X射线衍射仪分别测出两条轴线方向上的晶向偏离度；B)采用分量合成方法在晶体端面11作出晶体1总的晶向偏离方向，偏离角度值为S= JX^ +Y7 ；C)作一条过中心且与总的晶向偏离方向垂直的直线，以此直线为粘接轴Z，由于总的晶向偏离方向位于第一象限，此时总的晶向偏离方向位于粘接轴Z右侧，因此其相对粘接轴Z 的偏离方向向右，如图1所示；D)设一水平直线为标准线，保持粘接轴Z竖直方向，且晶体1中轴线按照上述右偏离方向向标准线右侧偏转，调整晶体1中轴线与标准线水平夹角为S，固定晶体1并按标准线方向上机切割。作为优选方式，如本实施例图1所示首先将晶体1按粘接轴Z方向垂直粘接在长方体切透层3上，切透层3可以是树脂、陶瓷、石墨等制成，晶体1中轴线与切透层3 长边31平行，然后在长方体金属托板4顶端以其长边41为标准线用角度仪按晶体偏离方向量出偏离度S，画一直线标记5，即以左长边向右偏离S画直线，再将粘接好的晶体1其切透层3长边31沿此直线标记5粘接在金属托板4上，如图2所示，此时晶体中轴线按照上述右偏离方向位于标准线右侧并偏离角度S，固定晶体1并按长边41方向上机切割，如图3 所示。实施例2如图4所示，一种线切割晶体作图定向切割法，步骤依次包括A)在经碱腐蚀处理的晶体端面11作任意两条过中心的垂直交叉直线X轴与Y轴，通过 X射线衍射仪分别测出两条轴线方向上的晶向偏离度；B)采用分量合成方法在晶体端面11作出晶体1总的晶向偏离方向，偏离角度值为S= W -I-J2 ；C)作一条过中心且与总的晶向偏离方向垂直的直线，以此直线为粘接轴Z，由于总的晶向偏离方向位于第三象限，此时总的晶向偏离方向位于粘接轴Z左侧，因此其相对粘接轴Z 的偏离方向向左；D)首先将晶体1按粘接轴Z方向垂直粘接在长方体切透层3上，切透层3可以是树脂、 陶瓷、石墨等制成，晶体1中轴线与切透层3长边31平行，然后在长方体金属托板4顶端以其长边41为标准线用角度仪按晶体偏离方向量出偏离度S，画一直线标记5，即以右长边向左偏离S画直线，再将粘接好的晶体1其切透层3长边31沿此直线标记5粘接在金属托板 4上，如图2所示，此时晶体中轴线按照上述左偏离方向位于标准线左侧并偏离角度S，固定晶体1并按长边41方向上机切割。 以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。权利要求1. 一种线切割晶体作图定向切割法，其特征在于步骤依次包括A)在晶体端面作任意两条过中心的垂直交叉直线X轴与Y轴，通过X射线衍射仪分别测出两条轴线方向上的晶向偏离度；B)采用分量合成方法在晶体端面作出晶体总的晶向偏离方向，偏离角度值为S=C)作一条过中心且与总的晶向偏离方向垂直的直线，以此直线为粘接轴Z，并确定总的晶向偏离方向相对粘接轴Z的左右偏离方向；D)设一水平直线为标准线，保持粘接轴Z竖直方向，且晶体中轴线按照上述左右偏离方向向标准线左/右侧偏转，调整晶体中轴线与标准线水平夹角为S，固定晶体并按标准线方向上机切割。2.如权利要求1所述的线切割晶体作图定向切割法，其特征在于所述D步具体为首先将晶体按粘接轴Z方向垂直粘接在长方体切透层上，晶体中轴线与切透层长边平行，然后在长方体金属托板顶端以其长边为标准线用角度仪按晶体偏离方向量出偏离度S，画一直线标记，再将粘接好的晶体其切透层长边沿此直线标记粘接在金属托板上，之后即可上机切割。全文摘要本专利技术公开了一种线切割晶体作图定向切割法,属于晶体加工领域，步骤依次包括通过X射线衍射仪分别测出两条过中心的垂直交叉直线方向上的晶向偏离度；采用分量合成方法作出晶体总的晶向偏离方向；作一条过中心且与总的晶向偏离方向垂直的直线为粘接轴Z，并确定总的晶向偏离方向相对粘接轴Z的左右偏离方向；设一水平直线为标准线，保持粘接轴Z竖直方向，且晶体中轴线按照上述左右偏离方向位于标准线左/右侧，调整晶体中轴线与标准线水平夹角为S，固定晶体并按标准线方向上机切割。本专利技术提出一种利用现有X射线衍射定向仪实现多台线切割机和内圆切割机共用一套定向设备的定向切割方法，大大减少设备费用。文档编号B28D5/04GK102490277SQ20111038956公开日2012年6月13日 申请日期2011年11月30日 优先权日2011年11月30日专利技术者荆旭华, 陈屹立 申请人:东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈屹立，荆旭华，
申请(专利权)人：东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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