聚焦环及其耐腐蚀防护方法技术

本发明专利技术公开了一种聚焦环及其耐腐蚀防护方法，其位于陶瓷的静电卡盘以及套置有静电卡盘侧密封圈的静电卡盘中间层的外周侧，静电卡盘陶瓷层位于所述静电卡盘中间层上方，静电卡盘中间层位于设置在等离子体蚀刻室中的静电卡盘的基体上方，静电卡盘的基体外周侧设有绝缘环，聚焦环设在绝缘环的上方；晶圆设置在静电卡盘陶瓷层上，覆盖住聚焦环的延伸环的一部分上表面，所述聚焦环设有主环与延伸环；聚焦环整体或部分沉积有抗等离子体腐蚀的涂层。本发明专利技术具有增加了聚焦环的使用寿命，稳定等离子体刻蚀工艺，保护静电卡盘，增加了静电卡盘及其他零部件的使用寿命，降低了生产成本的优点。

Focusing Ring and Corrosion Resistance Protection Method

The invention discloses a focusing ring and a corrosion-resistant protection method thereof, which are located on the outer side of the electrostatic chuck of ceramics and the middle layer of the electrostatic chuck with the side sealing ring of the electrostatic chuck. The ceramic layer of the electrostatic chuck is located above the middle layer of the electrostatic chuck, and the middle layer of the electrostatic chuck is located above the base of the electrostatic chuck in the plasma etching chamber, and the base of the electrostatic chuck. An insulating ring is arranged on the peripheral side, and the focusing ring is arranged above the insulating ring. The wafer is arranged on the ceramic layer of the electrostatic chuck, covering part of the upper surface of the extension ring of the focusing ring. The focusing ring is provided with a main ring and an extension ring. The whole or part of the focusing ring is deposited with a plasma corrosion resistant coating. The invention has the advantages of increasing the service life of the focusing ring, stabilizing the plasma etching process, protecting the electrostatic chuck, increasing the service life of the electrostatic chuck and other parts, and reducing the production cost.

【技术实现步骤摘要】
聚焦环及其耐腐蚀防护方法
本专利技术涉及半导体加工设备领域，具体涉及一种聚焦环、包括该聚焦环的静电卡盘及其耐腐蚀防护方法。
技术介绍
现有技术中，在等离子体蚀刻室中，直接暴露在等离子体中的聚焦环(focusring)一般会优选高纯度材料制成，例如硅或者硅碳化物等。在当刻蚀(ETCH)机台在对晶圆进行等离子处理时，常常会遇到聚焦环损耗较大，使用寿命短的问题；且特别是在对静电卡盘(Electrostaticchuck，简称ESC)进行无晶圆清理(waferlessclean)时，如图1所示，由于在静电卡盘陶瓷层3上不放置晶圆(wafer)，此时由于聚焦环1完全暴露在刻蚀环境7中，则加大了对聚焦环1的损耗，增快了其损耗速率；由于聚焦环的过渡损耗，会导致静电卡盘与聚焦环1之间的间隙8，造成使更多的具有腐蚀性与污染性的刻蚀气体(processgases)、自由基(radicals)、等离子体(plasma)等气体通过上述增大的静电卡盘与聚焦环之间的间隙，腐蚀攻击静电卡盘侧壁(ESCsidewall)，静电卡盘侧壁密封圈(ESCsidesealing)以及其他的零部件；减少上述静电卡盘的使用寿命本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于等离子处理的聚焦环，其特征在于，所述聚焦环由陶瓷材料制成，所述聚焦环包括一个主环，其中主环顶部的第一上表面具有第一高度，主环内侧为向聚焦环中心凸出的延伸环，所述延伸环顶部的第二上表面具有第二高度，第二高度小于所述第一高度，其中第二上表面内侧区域涂覆有抗等离子涂层，延伸环内侧侧壁同时涂覆有抗等离子涂层。

【技术特征摘要】
1.一种用于等离子处理的聚焦环，其特征在于，所述聚焦环由陶瓷材料制成，所述聚焦环包括一个主环，其中主环顶部的第一上表面具有第一高度，主环内侧为向聚焦环中心凸出的延伸环，所述延伸环顶部的第二上表面具有第二高度，第二高度小于所述第一高度，其中第二上表面内侧区域涂覆有抗等离子涂层，延伸环内侧侧壁同时涂覆有抗等离子涂层。2.如权利要求1所述一种聚焦环，其特征在于，涂覆有所述抗等离子涂层的表面，包含主环顶部的第一上表面与延伸环顶部的第二上表面。3.如权利要求1所述一种聚焦环，其特征在于，所述第一上表面与主环内侧侧壁的陶瓷材料直接暴露于所述等离子体。4.如权利要求1所述一种聚焦环，其特征在于，制成所述涂层的材料包含氧化钇，氟化钇，氧化铒，碳化硅，氮化硅，氧化锆，氧化铝之中任意一个或它们的组合。5.如权利要求1所述一种聚焦环，其特征在于，所述涂层的厚度范围为2μm～200μm。6.如权利要求1所述一种聚焦环，其特征在于，所述涂层的致密度的范...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪图强，贺小明，左涛涛，陈星建，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31