成膜方法技术

本发明专利技术提供一种可维持规定的成膜率不变，并有效形成应力在规定值以内的氧化铝膜的成膜方法。在本发明专利技术中，在真空室(1)内相对配置被成膜物(S)和铝材质的靶(21，22)，向真空气氛中的真空室内导入稀有气体和氧气、给靶施加规定电力对靶进行溅射，使铝原子和氧的反应产物附着并堆积在被成膜物的表面上形成氧化铝膜。此时，向真空室内导入水蒸汽。水蒸汽的分压设置在1×10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成膜方法
本专利技术涉及一种成膜方法，具体而言，涉及一种通过溅射在被成膜物的表面上形成氧化铝膜的成膜方法。
技术介绍
一直以来，存在使用氧化铝膜作为显示装置或半导体装置中薄膜晶体管等元件的保护膜(钝化膜)或绝缘膜的情况。在这样的氧化铝膜的成膜过程中通常已知的是使用溅射法的方法(例如参照专利文献1、2)，其中一般利用反应性溅射法等。此时，使用铝材质的靶材作为靶，将该靶和被成膜物配置在真空室内并将真空室抽真空，当达到规定压力时，导入放电用的稀有气体和氧气等反应气体，向靶施加例如带负电位的规定电力对靶进行溅射。由此，从靶飞散出的铝原子和氧的反应产物附着并堆积在被成膜物上，在其表面上形成氧化铝膜。如上述那样形成的氧化铝膜通常带有压缩方向的应力，在其压缩应力增强时，会导致基板的翘曲增加等问题。此时，如果给靶施加的电力增加，则压缩应力随之增加，再有，在通过溅射来成膜时，如果减小放电用的稀有气体的流量，从而降低真空室内的压力，则压缩应力同样会增加。因此，如果降低给靶施加的电力，或者增加成膜时真空室的压力的话，则可形成应力在规定值(例如±500MPa)以内的氧化铝膜，但这使得成膜率下降。【现有技术文本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成膜方法，其特征在于：在真空室内配置被成膜物和铝材质或氧化铝材质的靶，向真空气氛中的真空室内导入稀有气体和含氧的反应气体，或者只导入稀有气体，通过给靶施加规定电力对靶进行溅射，在被成膜物的表面形成氧化铝膜；向真空室内导入氢气或水蒸汽。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.23 JP 2016-1244781.一种成膜方法，其特征在于：在真空室内配置被成膜物和铝材质或氧化铝材质的靶，向真空气氛中的真空室内导入稀有气体和含氧的反应气体，或者只导入稀有气体，通...

【专利技术属性】
技术研发人员：水野熊介，矶部辰德，水野太平，永田纯一，小林大士，大久保裕夫，新井真，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本,JP