将接合的晶圆分离的系统及方法技术方案

本发明专利技术公开了将接合晶圆分离的系统及方法。在一个实施例中，一种将接合的晶圆分离的系统包括接合的晶圆的支撑件和向接合的晶圆施加剪切力的装置。该系统还包括向接合的晶圆施加真空的装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，本专利技术涉及一。
技术介绍
半导体器件被使用在各种电子应用，诸如，个人计算机、手机、数码相机以及其他电子设备中。通常通过在半导体衬底上方连续地沉积绝缘或介电层、导电层、以及半导体材料层，并且使用光刻图案化各种材料层从而形成电路部件及其上的元件来制造半导体器件。半导体工业通过持续减小允许更多的部件集成到给定区域中的最小部件尺寸而持续改进了各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度。在一些应用中，这些更小的电子部件也需要所使用的区域比过去的封装件更少的、更小的封装件。三维集成电路(3DIC)是半导体封装的最新发展，在其中将多个半导体管芯彼此上下堆叠，诸如，封装件上封装件(PoP)和封装件中系统(SiP)封装技术。由于例如，堆叠的管芯之间的长度得到了减小，所以3DIC提供了改进的集成密度和其他优势，诸如，更快的速度和更高的带宽。形成3DIC的一些方法包括将两个半导体晶圆接合在一起。可以使用例如，熔融接合、共晶接合以及混合接合来将晶圆接合到一起。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于将接合晶圆分离的系统，包括：所述接合晶圆的支撑件；向所述接合晶圆施加剪切力的装置；以及向所述接合晶圆施加真空的装置。

【技术特征摘要】
2012.07.20 US 13/554,7511.一种用于将接合晶圆分离的系统，包括: 所述接合晶圆的支撑件； 向所述接合晶圆施加剪切力的装置；以及 向所述接合晶圆施加真空的装置。2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述施加真空的装置用于从所述接合晶圆的下晶圆上提起所述接合晶圆的上晶圆，所述接合晶圆设置在所述接合晶圆的支撑件上。3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述用于施加真空的装置包括:施加第一真空的第一装置，并且所述系统进一步包括施加第二真空的第二装置。4.根据权利要求3所述的系统，其中，所述接合晶圆均包括第一晶圆和与所述第一晶圆相接合的第二晶圆，其中，施加第一真空的所述第一装置用于向所述第一晶圆施加所述第一真空，并且施加第二真空的所述第二装置用于向所述第二晶圆施加所述第二真空。5.根据权利要求4所述的系统，进一步包括:施加第三真空的第三装置。6.根据权利要求5所述的系统，进一步包括:腔室，所述腔室围绕着所述接合...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄信华，刘丙寅，林宏桦，谢元智，赵兰璘，蔡嘉雄，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：