【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种反熔丝元件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构包括自下而上依次层叠的栅极介电层和栅极材料层；在所述栅极结构的两侧所暴露的所述半导体衬底中形成一n型轻掺杂漏区域及一掺杂铟的袋状注入区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：甘正浩，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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