【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种低版图及其设计方法、半导体结构、计算机可读存储介质和电子设备。
技术介绍
1、现在主流片上系统(soc)设计会基于逻辑代码采用标准单元库进行综合和布局布线，因而，标准单元库的速度功耗面积(ppa)指标决定了最终soc的ppa指标。在低功耗高密度设计中，往往会采用低高度(low track)单元库进行设计。
2、在实际设计中，金属线构成的电源和地网络因为存在寄生电阻，在芯片工作时产生的电流会在这个网络上产生压降(ir drop)，从而导致时序变差，这在先进工艺中尤其严重。如图1所示，第一单元x1和第二单元x2连接在第一电源线vdd和第二电源线vss之间，实际到达第二单元x2的电压是vdd-△v1-△v2，其中，vdd表示第一电源线vdd的电压，△v1表示第一电源线vdd在第一单元x1之前的寄生电阻所引起的压降，△v2表示第一电源线vdd在第一单元x1和第二单元x2之间的寄生电阻所引起的压降。
3、为了降低电源和地网络的阻抗，在版图设计过程中，通常将电源线设置为层叠的并联结构。如图2所示，将输入同一个电源电压的电源线设计为两条层叠的电源线图形，即位于第一金属层的电源线图形11和位于第二金属层的电源线图形12，电源线图形11和电源线图形12通过连接件图形13并联在一起。电源线图形11和电源线图形12所对应的电源线适于输入电源电压或地电压。然而，这种结构容易引起集成密度的问题，导致输入输出引脚的出线困难，浪费绕线资源等，布局布线工具通常通过撑大面积来解决该技术问题，但这就失
技术实现思路
1、本专利技术解决的问题是现有版图中的集成密度过大，引起版图面积增加。
2、为解决上述问题，本专利技术提供一种版图的设计方法，版图对应半导体结构。半导体结构包括：第二电源线和信号线。版图包括若干个标准单元。标准单元包括：第二电源线图形。第二电源线图形对应第二电源线。第二电源线图形位于版图的第二金属层。版图的设计方法包括：计算标准单元的绕线难度；将绕线难度大于难度阈值的标准单元标注为待处理单元；去除待处理单元中的第二电源线图形以形成待填充区域；在待填充区域中设置信号线图形，信号线图形对应信号线。
3、本专利技术还提供一种版图。版图对应半导体结构，半导体结构包括：第二电源线和信号线。版图包括：第二电源线图形和信号线图形。第二电源线图形对应第二电源线，第二电源线图形位于版图的第二金属层，第二电源线图形呈间断的条状排列。信号线图形对应信号线，信号线图形位于第二电源线图形的间断间隙中。
4、本专利技术还提供一种半导体结构，该半导体结构依据上述版图形成。
5、本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行，以实现上述版图的设计方法的步骤。
6、本专利技术还提供一种电子设备，包括存储器和处理器，存储器上存储有能够在处理器上运行的计算机程序，处理器运行计算机程序时执行上述版图的设计方法的步骤。
7、与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：
8、本专利技术通过计算绕线难度，找出绕线紧张的标准单元，通过去除该标准单元中的第二电源线图形，将空间释放给信号线图形，这样既不会对电源线的整体阻抗产生太大影响，又可以解决集成密度过大引起的版图面积过大的问题。
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1.一种版图的设计方法，所述版图对应半导体结构，所述半导体结构包括：第二电源线和信号线，所述版图包括若干个标准单元，所述标准单元包括：第二电源线图形，所述第二电源线图形对应所述第二电源线，所述第二电源线图形位于所述版图的第二金属层，其特征在于，所述版图的设计方法包括：计算标准单元的绕线难度；
2.如权利要求1所述的版图的设计方法，其特征在于，所述绕线难度的计算公式为：
3.如权利要求1所述的版图的设计方法，其特征在于，所述难度阈值的范围为0.4～1。
4.如权利要求1所述的版图的设计方法，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一电源线和第一连接件，所述标准单元还包括：第一电源线图形和第一连接件图形；
5.如权利要求4所述的版图的设计方法，其特征在于，所述半导体结构还包括：有源区和第二连接件，所述标准单元还包括：有源区图形和第二连接件图形；
6.一种版图，所述版图对应半导体结构，所述半导体结构包括：第二电源线和信号线，其特征在于，所述版图包括：
7.如权利要求6所述的版图，其特征在于，所述版图包括若干个标准单元，
8.如权利要求7所述的版图，其特征在于，所述绕线难度的计算公式为：
9.如权利要求7所述的版图，其特征在于，所述难度阈值的范围为0.4～1。
10.如权利要求6所述的版图，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一电源线和第一连接件，所述版图还包括：第一电源线图形和第一连接件图形；
11.如权利要求10所述的版图，其特征在于，所述半导体结构还包括：有源区和第二连接件，所述版图还包括：有源区图形和第二连接件图形；
12.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为依据权利要求6至11任一项所述的版图形成。
13.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行，以实现权利要求1至5任一项所述方法的步骤。
14.一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器运行所述计算机程序时执行权利要求1至5任一项所述方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种版图的设计方法，所述版图对应半导体结构，所述半导体结构包括：第二电源线和信号线，所述版图包括若干个标准单元，所述标准单元包括：第二电源线图形，所述第二电源线图形对应所述第二电源线，所述第二电源线图形位于所述版图的第二金属层，其特征在于，所述版图的设计方法包括：计算标准单元的绕线难度；
2.如权利要求1所述的版图的设计方法，其特征在于，所述绕线难度的计算公式为：
3.如权利要求1所述的版图的设计方法，其特征在于，所述难度阈值的范围为0.4～1。
4.如权利要求1所述的版图的设计方法，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一电源线和第一连接件，所述标准单元还包括：第一电源线图形和第一连接件图形；
5.如权利要求4所述的版图的设计方法，其特征在于，所述半导体结构还包括：有源区和第二连接件，所述标准单元还包括：有源区图形和第二连接件图形；
6.一种版图，所述版图对应半导体结构，所述半导体结构包括：第二电源线和信号线，其特征在于，所述版图包括：
7.如权利要求6所述的版图，其特征在于，所述版图...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡燕飞，王夺，王立柱，陈乃霞，雷传震，廖春和，王俊，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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