【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种低版图及其设计方法、半导体结构、计算机可读存储介质和电子设备。
技术介绍
1、现在主流片上系统(soc)设计会基于逻辑代码采用标准单元库进行综合和布局布线，因而，标准单元库的速度功耗面积(ppa)指标决定了最终soc的ppa指标。在低功耗高密度设计中，往往会采用低高度(low track)单元库进行设计。
2、在实际设计中，金属线构成的电源和地网络因为存在寄生电阻，在芯片工作时产生的电流会在这个网络上产生压降(ir drop)，从而导致时序变差，这在先进工艺中尤其严重。如图1所示，第一单元x1和第二单元x2连接在第一电源线vdd和第二电源线vss之间，实际到达第二单元x2的电压是vdd-△v1-△v2，其中，vdd表示第一电源线vdd的电压，△v1表示第一电源线vdd在第一单元x1之前的寄生电阻所引起的压降，△v2表示第一电源线vdd在第一单元x1和第二单元x2之间的寄生电阻所引起的压降。
3、为了降低电源和地网络的阻抗，在版图设计过程中，通常将电源线设置为层叠的并联结构。...
【技术保护点】
1.一种版图的设计方法，所述版图对应半导体结构，所述半导体结构包括：第二电源线和信号线，所述版图包括若干个标准单元，所述标准单元包括：第二电源线图形，所述第二电源线图形对应所述第二电源线，所述第二电源线图形位于所述版图的第二金属层，其特征在于，所述版图的设计方法包括：计算标准单元的绕线难度；
2.如权利要求1所述的版图的设计方法，其特征在于，所述绕线难度的计算公式为：
3.如权利要求1所述的版图的设计方法，其特征在于，所述难度阈值的范围为0.4～1。
4.如权利要求1所述的版图的设计方法，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一电源线...
【技术特征摘要】
1.一种版图的设计方法，所述版图对应半导体结构，所述半导体结构包括：第二电源线和信号线，所述版图包括若干个标准单元，所述标准单元包括：第二电源线图形，所述第二电源线图形对应所述第二电源线，所述第二电源线图形位于所述版图的第二金属层，其特征在于，所述版图的设计方法包括：计算标准单元的绕线难度；
2.如权利要求1所述的版图的设计方法，其特征在于，所述绕线难度的计算公式为：
3.如权利要求1所述的版图的设计方法，其特征在于，所述难度阈值的范围为0.4～1。
4.如权利要求1所述的版图的设计方法，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一电源线和第一连接件，所述标准单元还包括：第一电源线图形和第一连接件图形；
5.如权利要求4所述的版图的设计方法，其特征在于，所述半导体结构还包括：有源区和第二连接件，所述标准单元还包括：有源区图形和第二连接件图形；
6.一种版图，所述版图对应半导体结构，所述半导体结构包括：第二电源线和信号线，其特征在于，所述版图包括：
7.如权利要求6所述的版图，其特征在于，所述版图...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡燕飞，王夺，王立柱，陈乃霞，雷传震，廖春和，王俊，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。