一种ONO反熔丝单元结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种ONO反熔丝单元结构及其制备方法，属于微电子的技术领域。按照本发明专利技术提供的技术方案，所述ONO反熔丝单元结构，包括下电极板，所述下电极板包括衬底，所述衬底的上部设有场氧及N+扩散区；所述N+扩散区的正上方设置贯通注入掩蔽层及腐蚀掩蔽层的反熔丝孔，所述注入掩蔽层覆盖衬底上部的N+扩散区及场氧上，腐蚀掩蔽层覆盖于注入掩蔽层上；所述腐蚀掩蔽层上设置ONO介质层，所述ONO介质层覆盖在腐蚀掩蔽层上，并填充在反熔丝孔内，ONO介质层与反熔丝孔底部的N+扩散区接触，ONO介质层上覆盖有上电极板。本发明专利技术工艺步骤简单，能改善熔丝单元击穿电压的均匀性，降低编程时间和编程后熔丝导通电阻，工艺兼容性好，安全可靠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种反熔丝单元结构及制备方法，尤其是一种ONO反熔丝单元结构及其制备方法，属于微电子的

技术介绍
反熔丝存储单元是天然的抗辐射组件，具有非易失性、高可靠性、体积小、速度快、功耗低等优点，目前，反熔丝技术已在计算机、通信、汽车、卫星以及航空航天等领域具有极其广泛的应用。反熔丝单元结构为三明治结构，主要由上下电极和处于上下电极间的反熔丝介质层构成，其介质层种类多样=SiO2 (如专利US.pat.N0.4543594)、Si3N4 (如专利US.pat.N0.3423646)、非晶硅(如专利 US.pat.N0.4499557)、Si02/Si3N4/Si02_0N0 复合膜层(如专利US.pat.N0.4943538)等，根据不同的需求选择相应的介质层。在未编程时，反熔丝单元表现高阻状态，可高达101°欧姆，在上下电极间加上合适电压编程后，反熔丝表现出良好的欧姆电阻特性。影响ONO反熔丝存储单元结构的可靠性因素很多，如底层氧化层(隧道氧化层)、Si3N4、顶层氧化层等膜层生长工艺，反熔丝孔腐蚀等工艺。专利US.pat.N0.6307248采用不掺杂的多晶硅薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ONO反熔丝单元结构，包括下电极板，所述下电极板包括衬底（11），所述衬底（11）的上部设有场氧（12）及N+扩散区（13）；其特征是：所述N+扩散区（13）的正上方设置贯通注入掩蔽层（14）及腐蚀掩蔽层（15）的反熔丝孔（20），所述注入掩蔽层（14）覆盖衬底（11）上部的N+扩散区（13）及场氧（12）上，腐蚀掩蔽层（15）覆盖于注入掩蔽层（14）上；所述腐蚀掩蔽层（15）上设置ONO介质层，所述ONO介质层覆盖在腐蚀掩蔽层（15）上，并填充在反熔丝孔（20）内，ONO介质层与反熔丝孔（20）底部的N+扩散区（13）接触，ONO介质层上覆盖有上电极板（19）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘国柱，徐静，陈正才，洪根生，王栋，罗静，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：