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本发明涉及一种ONO反熔丝单元结构及其制备方法，属于微电子的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述ONO反熔丝单元结构，包括下电极板，所述下电极板包括衬底，所述衬底的上部设有场氧及N+扩散区；所述N+扩散区的正上方设置贯通注入掩蔽层及腐蚀...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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