本技术公开一种多层芯片封装结构，属于芯片封装领域，包括封装底板、粘连板、电路基板；所述电路基板的底面固定设置有连接板，所述粘连板设置在所述连接板的底部，所述连接板与所述粘连板的相对面均排列固定设置有散热齿，且所述散热齿间隙之间充填有导热...

本发明公开一种可配置采样分辨率的延迟线模数转换电路，属于集成电路领域，包括可配置基准延迟电路、基准延迟单元配置电路、可配置测量延迟电路、测量延迟单元配置电路、基准延迟电路、测量延迟电路、锁存译码电路；通过配置基准延迟电路以及测量延迟电路...

本申请公开了一种面向片上网络与NandFlash控制器的通信接口，涉及集成电路领域，该通信接口利用请求路径模块对片上网络发送的请求数据包进行数据校验和跨时钟域处理后，经由协议转换模块转换得到AHB总线信号形式的配置指令对NandFlas...

本发明公开一种小型化低成本高散热宽带频率源模块，属于高可靠通信先进封装领域，包括上盖板、芯片、钨铜载体、其它器件、正面PCB板、射频连接器、盒体、供电连接器、底面PCB板、下盖板；本发明可根据客户实际需求进行定制，相比于陶瓷封装、塑料封...

本发明涉及集成电路封装技术领域，特别涉及一种晶上系统结构及其C2W梯度回流组装方法。包括如下步骤：提供TSV晶圆、锡膏和阻容器件；在TSV晶圆正面的阻容焊盘区域刷锡膏，采用C2W工艺将阻容贴装至阻容焊盘区域；挑出高熔点凸点芯片，蘸取助焊...

本发明公开一种高PSRR低压差线性稳压器电路，属于集成电路领域。本发明通过设计一个共源共栅结构，利用共栅共源电路对MOS管的小信号电阻产生一个增益，使其小信号电阻变为增益与小信号电阻的乘积，降低共源放大NMOS管的导通电阻变化给PSRR...

本发明公开一种光‑电转换器件物理机制测试系统和测试方法，属于半导体器件测试技术领域，样品台用于放置光‑电转换器件，引出光‑电转换器件正负极以供外加电压或电流以及测试电流、电压，提供光学窗口以供光照与光发射；电学组件用于电学性能测试；光学...

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种DC‑DC中的低功耗电流检测电路。包括：第一运算放大器、第一NMOS管、第一电阻、第八HPMOS管、第八PMOS管、第七HNMOS管、第一HNMOS管、第二HNMOS管、第三HNMOS管、第四HN...

本发明公开一种用于电池组监控芯片中的滤波器，属于数字滤波领域，通过采用3级级联积分梳状滤波器对模数转换器采集的电池组电压数据进行降采样滤波处理。该滤波器改进了3级级联积分梳状抽取滤波器的结构，采用将第3级积分器分段处理以及复用减法器的方...

本发明公开一种电流调节式欠压保护电路，属于集成电路领域，包括电阻分压网络、加法器、比较器及电流镜网络。所述电阻分压网络通过电源电压在电阻串上得到分压Vuvlo，然后输入至比较器的正相输入端；加法器通过控制信号mux的高低状态实现是否将V...

本发明公开一种用于锁相环的幅度和频率校准电路及其工作方法，属于集成电路领域，包括鉴频鉴相器、电荷泵、环路滤波器、强制钳位电路、压控振荡器、参考时钟分频电路、反馈时钟分频电路、幅度检测电路、频率检测电路以及校准控制状态机。本发明为锁相环幅...

本发明涉及集成电路封装技术领域，特别涉及提高被动散热及芯片背部引出的扇出型封装方法及结构。在所述硅晶圆上刻蚀空腔；在刻蚀空腔的硅晶圆表面溅射种子层、电镀铜形成金属层；将所述异构芯片背金面焊接导电层；将焊接好导电层的芯片放置于硅片空腔内；...

本发明公开一种增强型GaN HEMT器件I‑V模型建立及参数提取方法，属于功率器件领域。首先实验测得不同辐照剂量下增强型GaN HEMT器件的转移特性与输出特性曲线；随后基于ASM‑HEMT模型，建立考虑总剂量效应的增强型GaN HEM...

本发明涉及半导体集成电路技术领域，特别涉及一种低功耗高精度高增益的EA跨导放大器电路。包括：第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电...

本发明公开一种适用于相变存储的自加载存储结构，属于集成电路领域，包括SRAM单元结构、相变存储结构、相变存储单元编程通路、SRAM单元自加载时序；所述相变存储单元编程通路用于将配置数据通过编程通路存储到所述相变存储结构中的相变存储单元中...

本发明公开一种应用于RS‑485驱动级电流的可调电路结构，属于集成电路I/O端口领域，包括输入端TE、NMOS管N1～N2、PMOS管P1～P2、电容C1～C2、反相器INV1～INV2、或非门NOR1和锁存逻辑器；本发明实现驱动级端口...

本发明公开一种面向芯粒集成的硅桥芯片嵌入式有机基板结构的制备方法，属于芯片封装领域。制作芯板层，并在所述芯板层的双面分别形成第一介质层和第二介质层；研磨所述芯板层正面的第一介质层，再制备第一布线层；在所述芯板层的正面制作第三介质层以及研...

本发明公开一种光敏微晶玻璃晶圆的曝光方法，属于集成电路封装领域，包括以下步骤：步骤一，准备光敏微晶玻璃晶圆并对表面进行清洗；步骤二，在光敏微晶玻璃晶圆其中一面制备金属层；步骤三，将光敏微晶玻璃晶圆放置于掩模板下发，进行紫外光曝光作业；步...

本发明公开一种基于硅刻蚀沟槽的低应力晶圆级封装结构制作方法，属于集成电路封装领域，包括如下步骤：在硅晶圆的指定位置刻蚀出沟槽；在硅晶圆表面形成一层缓冲层；对缓冲层进行光刻，暴露出硅晶圆的引出管脚；在缓冲层上制作一层或多层再布线层；制作金...

本发明公开一种宽电压域电平转换电路，属于模拟电路领域，包括电压控制模块、电平转换锁存模块和输出驱动模块。电压控制模块根据输出结构的电源电压是否会使第一反相器的输出信号发生翻转，控制电平转换锁存模块中部分器件的工作状态，形成不同的工作状态...