半导体器件制造技术

本发明专利技术提供在以多层布线工艺通过SOG内蚀刻法进行平坦化的工艺中，防止起因于熔丝开口部的水分浸入下长期可靠性的劣化的半导体器件的制造方法。本发明专利技术的半导体器件采取多晶硅一直延伸至用于防止来自熔丝开口部的水分浸入的第一层金属的保护环的下部这一熔丝形状。据此用于充当熔丝的电极的金属布线和保护环的金属布线的高度一致，能防止SOG层到达IC内部。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本专利技术涉及具有MOS晶体管以及电阻的半导体器件。
技术介绍
在电压检测器等模拟IC中，为了获得针对输出电压所希望的特性，一般采取如下措施：事先配置好例如用多晶硅等的薄膜电阻构成的激光微调（lasertrimming）用的熔丝（fuse），并通过激光照射有选择地烧断熔丝来调节电阻体的组合模式，以调节之前工序中的批量生产差异所造成的特性差异及电路的目标值。参考图4到图6就这种模拟IC中的激光微调用的熔丝进行说明。图4是平面图，图5是沿着截断线C-C’的截面示意图，然后图6是沿着截断线D-D’的截面示意图。为了能够对由多晶硅的薄膜电阻组成的熔丝306照射激光，部分地蚀刻作为保护膜的氮化膜317及多层布线间的层间绝缘膜313、315，以形成开口部318，因此熔丝开口部的氮膜及层间绝缘膜的侧壁会暴露出。而且在双金属工艺（doublemetalprocess）或者其以上的多层布线工艺中，作为平坦化的技术之一存在例如在涂敷了由SOG（SpinonGlass）构成的SOG层314以后再进行蚀刻这一技术，但在蚀刻技术的情况下，由于层叠的层间绝缘膜之间的SOG层314存在，所以水分自该S本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体衬底；设置在所述半导体衬底上的场绝缘膜；由多晶硅构成的熔丝，设置在所述场绝缘膜上，具有被激光微调的熔丝微调激光照射部以及在其两端设置的熔丝端子；覆盖所述熔丝的中间绝缘膜；设置在所述中间绝缘膜之上的第一TEOS层；使所述第一TEOS层平坦化的SOG层；设置在所述SOG层以及所述第一TEOS层之上的第二TEOS层；设置在所述第二TEOS层之上的保护膜；从所述保护膜到所述第一TEOS层、设置在所述熔丝微调激光照射部的上部的开口部；以及围绕所述开口部由在所述中间绝缘膜之上设置的第一层金属布线层构成的密封环，所述熔丝端子一直延伸至所述密封环的下部。

【技术特征摘要】
2011.09.30 JP 2011-218242;2012.08.01 JP 2012-17141.一种半导体器件，包括：半导体衬底；设置在所述半导体衬底上的场绝缘膜；由多晶硅构成的熔丝，设置在所述场绝缘膜上，具有被激光微调的熔丝微调激光照射部以及在其两端设置的熔丝端子；覆盖所述熔丝的中间绝缘膜；设置在所述中间绝缘膜之上的第一TEOS层；使所述第一TEOS层平坦化的SOG层；设置在所述SOG层以及所述第一TEOS层之上的第二TEOS层；设置在所述第二TEOS层之上的保护膜；从所述保护膜到所述第一TEOS层、设置在所述熔丝微调激光照射部的上部的开口部；以及围绕所述开口部由在所述中间绝缘膜之上设置的第一层金属布线层构成的密封环，所述熔丝端子一直延伸至所述密封环的下部。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：从所述熔丝端子延伸的多晶硅层处于所述密封环的下部。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：在俯视图中设所述密封环所包含的具有所述熔丝微调激光照射部的所述熔丝的个数为N，所述熔丝的所述熔丝微调激光照射部的宽度分别为W1到WN的情况下，通过所述熔丝端子之上的所述密封环的长度的总和即俯视图中的该密封环与该熔丝端子重合的部分的长度的总和L满足L>2×（W1+...WN）的不等式，其中，N为1以上的整数。4.如权利要求1所述的半导体器件，所述熔丝端子具有比所述熔丝微调激光照射部宽度更宽的部分，所述宽度更宽的部分配置在所述密封环的正下方。5.如权利要求1所述的半导体器件，所述熔丝端子具有比所述熔丝微调激光照射部宽度更宽的部分，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川尚，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：