电熔丝结构制造技术

本发明专利技术公开一种电熔丝结构，该电熔丝结构包括有上层导电图案、下层导电图案、与介层洞导电层。该上层导电图案包括有上层熔丝本体与上层熔丝延伸部；而该下层导电图案包括有下层熔丝本体与下层熔丝延伸部，该下层熔丝延伸部与该上层熔丝延伸部相对应。此外，该介层洞导电层设置于该上层熔丝延伸部与该下层熔丝延伸部之间，且电性连接该上层熔丝延伸部与该下层熔丝延伸部。

【技术实现步骤摘要】
电熔丝结构
本专利技术涉及一种电熔丝(electricalfuse，e-fuse)结构，尤指一种可提升电熔丝的熔断电压范围(blowingwindow)的电熔丝结构。
技术介绍
随着半导体工艺的微小化以及复杂度的提高，半导体元件变得更容易受各种缺陷所影响。举例来说，单一金属连线、二极管或晶体管等的失效即可能导致整个芯片的缺陷。为了解决上述问题，已知技术往往在集成电路中形成一些可熔断的连接线，也就是熔丝(fuse)，以确保集成电路的可利用性。一般而言，熔丝与集成电路中的冗余电路(redundancycircuit)电性连接，一旦检测发现部分电路有缺陷时，这些连接线即用于修复或取代被检测出缺陷的电路。另外，目前的熔丝设计还可以提供程序化(programmingelements)的功能，以使客户可依不同的功能设计来程序化电路。另一方面，在已知技术中，已提出通过激光切割(Laserzip)提供断路条件(opencircuitcondition)的热熔丝(thermalfuse)，以及根据电致迁移(electro-migration，EM)效应通过合适的电流提供断路条件的电熔丝(e-fuse)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电熔丝结构，包括有：上层导电图案，包括有上层熔丝本体与上层熔丝延伸部；下层导电图案，包括有下层熔丝本体与下层熔丝延伸部，该下层熔丝延伸部与该上层熔丝延伸部相对应；以及介层洞导电层，设置于该上层熔丝延伸部与该下层熔丝延伸部之间，且电性连接该上层熔丝延伸部与该下层熔丝延伸部。

【技术特征摘要】
1.一种电熔丝结构，包括有：上层导电图案，包括有上层熔丝本体与上层熔丝延伸部；下层导电图案，包括有下层熔丝本体与下层熔丝延伸部，该下层熔丝延伸部与该上层熔丝延伸部相对应；以及介层洞导电层，设置于该上层熔丝延伸部与该下层熔丝延伸部之间，且电性连接该上层熔丝延伸部与该下层熔丝延伸部，其中该上层熔丝延伸部与该下层熔丝延伸部自与该介层洞导电层连接处往相同方向延伸。2.如权利要求1所述的电熔丝结构，其中该上层导电图案与该下层导电图案分别包括阴极与阳极。3.如权利要求2所述的电熔丝结构，其中该上层熔丝本体电性连接上层熔丝延伸部与该阴极，且该下层熔丝本体电性连接该下层熔丝延伸部与该阳极。4.如权利要求1所述的电熔丝结构，其中该上层熔丝本体与该上层熔丝延伸部共平面，该下层熔丝本体与该下层熔丝延伸部共平面。5.如权利要求4所述的电熔丝结构，还包括第一介电层与第二介电层，该下层导电图案设置于该第一介电层内，该上层导电图案与该介层洞导电层设置于该第二介电层内。6.如权利要求5所述的电熔丝结构，还包括相堆叠的第一金属内连线与第二金属内连线，分别设置于该第一介电层内与该第二介电层内。7.如权利要求6所述的电熔丝结构，其中该第一金属内连线与该下层导电图案共平面，该第二金属内连线与该上层导电图案共平面。8.如权利要求1所述的电熔丝结构，其中该上层熔丝延伸部与该下层熔丝延伸部相对应但不接触。9.如权利要求8所述的电熔丝结构，其中该上层熔丝延伸部与该下层熔丝延伸部至少部分重叠。10.如权利要求1所述的电熔丝结构，其中该上层熔丝本体与该上层熔丝延伸部具有第一夹角，且该第一夹角不等于180度，该下层熔丝本体与该下层熔丝延伸部具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴贵盛，曾靖翔，翁彰键，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：