【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种温度测试结构、温度测试芯片及温度测试方法。
技术介绍
1、自热效应(self heating effect，she)，指的是器件工作时，因沟道电流所产生的热量造成器件内部温度升高的现象。半导体器件的自热，会导致其性能下降、时间依赖性变化和可靠性等问题。
2、基于金属导体的电阻值随温度的增加而增加，故通过对半导体器件内部电阻进行检测，并基于电阻与温度之间的关系，实现对半导体器件的温度测量。并通过输入器件的功率以及其对应的升温之间的相对关系，来提取器件热模型建立所需的热阻。
3、然而，现有对半导体器件进行温度测试的方案，精确性较差。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的问题是：如何提高温度检测的精确性。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种温度测试结构，所述温度测试结构包括：
3、两个以上mos管，所述mos管包括：栅极、源极及漏极；源极及漏极通过相应的第一金属层进行电连接；
4、其中，连接所述mos管源极的第一金属层之间通过电阻串联连接，连接所述mos管漏极的第一金属层之间并联连接；基于连接所述mos管源极的各第一金属层与电阻的总阻值变化，得到所述测试结构的温度变化量。
5、可选地，所述第一预设极为漏极，所述第二预设极为源极。
6、可选地，所述第一预设极为源极，所述第二预设极为漏极。
7、可选地，任意相邻mos管的第一预设极之间均设置有电阻。p>
8、可选地，各所述电阻的阻值相等。
9、可选地，所述电阻的材料与所述第一金属层的材料相同。
10、可选地，还包括：第一电流计、电压计及多个第二电流计；其中，所述第一电流计用于检测所述温度测试结构的输入电流；所述第二电流计用于检测所述mos管第二预设极的电流；所述电压计用于检测电阻的电压差。
11、可选地，所述mos管的数量为4个。
12、本专利技术实施例还提供了一种温度测试芯片，所述温度测试芯片采用上述任一种所述的温度测试结构制造形成。
13、本专利技术实施例还提供了一种温度测试方法，所述方法包括：
14、提供上述任一种所述的温度测试结构；
15、向所述温度测试结构的输入端施加电压；
16、在所述温度测试结构中各mos管均断开时，测量所述温度测试结构的输入电压及输出电压之间的第一电压差，并计算得到所述温度测试结构在温度变化前的第一电阻值；
17、在所述温度测试结构中各mos管均导通时，测量所述温度测试结构的输入电流、除与输入端连接的mos管外其它mos管第二预设极的电流；所述温度测试结构的输入电压及输出电压之间的第二电压差，并计算得到所述温度测试结构在温度变化前的第二电阻值；
18、基于所述第一电阻值和所述第二电阻值，得到所述温度测试结构的温度变化量。
19、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：
20、应用本专利技术的方案，连接所述mos管第一预设极的第一金属层之间通过电阻串联连接，连接所述mos管第二预设极的第一金属层之间并联连接；基于连接所述mos管第一预设极的各第一金属层与电阻的总电阻值变化，来得到所述温度测试结构的温度变化量。相对于将栅极金属的总电阻变化值来得到所述温度测试结构的温度变化量，由于第一金属层之间串联连接，故随着mos管的数量增加，恩多测试结构的电阻也会增加，从而可以对温度变化更敏感，温度测量也就更精确。并且，由于第一预设极与第一金属层之间直接连接，相对于栅极与有源区之间的间接连接，对有源区的温度变化更敏感，由此可以进一步提高温度测量的精确性。
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1.一种温度测试结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的温度测试结构，其特征在于，所述第一预设极为漏极，所述第二预设极为源极。
3.如权利要求1所述的温度测试结构，其特征在于，所述第一预设极为源极，所述第二预设极为漏极。
4.如权利要求1所述的温度测试结构，其特征在于，任意相邻MOS管的第一预设极之间均设置有电阻。
5.如权利要求4所述的温度测试结构，其特征在于，各所述电阻的阻值相等。
6.如权利要求4所述的温度测试结构，其特征在于，所述电阻的材料与所述第一金属层的材料相同。
7.如权利要求1所述的温度测试结构，其特征在于，还包括：第一电流计、电压计及多个第二电流计；其中，所述第一电流计用于检测所述温度测试结构的输入电流；所述第二电流计用于检测所述MOS管第二预设极的电流；所述电压计用于检测电阻的电压差。
8.如权利要求1所述的温度测试结构，其特征在于，所述MOS管的数量为4个。
9.一种温度测试芯片，其特征在于，采用权利要求1至8任一项所述的温度测试结构制造形成。
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