刻蚀偏差的计算方法及系统、图形修正方法及掩膜版技术方案

一种刻蚀偏差的计算方法及系统、图形修正方法及系统、掩膜版、设备以及存储介质，计算方法包括：提供待修正的目标图层，目标图层包括多个掩膜图形；获得与目标图层相关的一个或多个依次进行的图形传递步骤，一个或多个依次进行的图形传递步骤用于在目标膜层中形成与掩膜图形对应的刻蚀后图形；识别出存在刻蚀负载效应的图形传递步骤，作为待处理步骤；获得当前待处理步骤对应的刻蚀偏差补偿模型；将所有待处理步骤的刻蚀偏差补偿模型叠加，获得目标图层对应的目标补偿模型；基于目标补偿模型，计算目标图层中各个位置的掩膜图形所需的刻蚀偏差补偿量。本发明专利技术实施例提高刻蚀偏差计算的精确度，进而提高对刻蚀偏差的补偿效果，改善刻蚀负载效应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种刻蚀偏差的计算方法及系统、图形修正方法及系统、掩膜版、设备以及存储介质。

技术介绍

1、为实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过依次进行的曝光步骤、显影步骤和刻蚀步骤。其中，曝光和显影步骤可在光刻胶层形成光刻图案，而光刻图案可通过刻蚀步骤进一步转移至硅片基底上。在先进逻辑集成电路技术中，为了提高晶体管密度，通常使用多重图形技术(如自对准多重图形技术等)形成图形密度最高的有源区、栅极和金属连线等结构。由于逻辑电路中要实现的功能种类众多，而不同功能区之间的电路图形差别较大，逻辑电路制造中的图形定义技术也相对复杂。为了兼顾不同种类图形的图形品质，由于需要通过多次光刻将不同种类的图形分拆到多张光掩膜版上，并通过复杂的对准技术，依次传递到硅片基底上的硬掩膜层或者其他图形传递材料上。

2、在先进集成电路制造技术中，图形传递过程中关键尺寸的精确传递是非常重要的。先进节点器件容忍关键尺寸的变异水平的通常在3-5％以下。然而在多重图形技术中，由于刻蚀工艺存在对图形密度等因素的敏感性，图形传递中关键尺寸可能本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种刻蚀偏差的计算方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的刻蚀偏差的计算方法，其特征在于，获得当前待处理步骤对应的刻蚀偏差补偿模型的步骤包括：获得当前待处理步骤所需的刻蚀掩膜图层；基于所述刻蚀掩膜图层和当前待处理步骤，获得当前待处理步骤对应的刻蚀偏差补偿模型。

3.如权利要求2所述的刻蚀偏差的计算方法，其特征在于，基于所述刻蚀掩膜图层和当前待处理步骤，获得当前待处理步骤对应的刻蚀偏差补偿模型的步骤包括：基于所述刻蚀掩膜图层，获得当前刻蚀掩膜图层对应的图形密度；基于所述图形密度和当前待处理步骤，获得当前待处理步骤对应的密度偏差系数；基于所述图形密度和密度...

【技术特征摘要】

1.一种刻蚀偏差的计算方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的刻蚀偏差的计算方法，其特征在于，获得当前待处理步骤对应的刻蚀偏差补偿模型的步骤包括：获得当前待处理步骤所需的刻蚀掩膜图层；基于所述刻蚀掩膜图层和当前待处理步骤，获得当前待处理步骤对应的刻蚀偏差补偿模型。

3.如权利要求2所述的刻蚀偏差的计算方法，其特征在于，基于所述刻蚀掩膜图层和当前待处理步骤，获得当前待处理步骤对应的刻蚀偏差补偿模型的步骤包括：基于所述刻蚀掩膜图层，获得当前刻蚀掩膜图层对应的图形密度；基于所述图形密度和当前待处理步骤，获得当前待处理步骤对应的密度偏差系数；基于所述图形密度和密度偏差系数，获得当前待处理步骤对应的刻蚀偏差补偿模型。

4.如权利要求3所述的刻蚀偏差的计算方法，其特征在于，所述当前待处理步骤用于以所述刻蚀掩膜图层为掩膜刻蚀当前待刻蚀膜层，以形成刻蚀后膜层；基于所述图形密度和当前待处理步骤，获得当前待处理步骤对应的密度偏差系数的步骤包括：获得各个位置的所述刻蚀后膜层与所述待刻蚀膜层的线宽差异；对所述图形密度和线宽差异进行拟合，获得所述密度偏差系数。

5.如权利要求3所述的刻蚀偏差的计算方法，其特征在于，基于所述图形密度和密度偏差系数，获得当前待处理步骤对应的刻蚀偏差补偿模型的步骤包括：将当前待处理步骤对应的所述图形密度和密度偏差系数之积，作为所述刻蚀偏差补偿模型。

6.如权利要求2所述的刻蚀偏差的计算方法，其特征在于，获得当前待处理步骤所需的刻蚀掩膜图层的步骤包括：获得当前待处理步骤所需的一层或多层掩膜图层；对所述一层或多层掩膜图层进行叠加，获得所述刻蚀掩膜图层。

7.如权利要求6所述的刻蚀偏差的计算方法，其特征在于，所述目标膜层包括相邻的第一区域和第二区域；所述目标图层的掩膜图形与位于所述第一区域的刻蚀后图形相对应；

8.如权利要求7所述的刻蚀偏差的计算方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜长城，贾敏，王兴荣，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：