【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、金属-氧化物-半导体场效应晶体管(mosfet)是现代集成电路中最重要的元件之一，mosfet的基本结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括：位于半导体衬底表面的栅介质层以及位于栅介质层表面的栅电极层；位于栅极结构两侧半导体衬底中的源漏掺杂区。
2、随着半导体技术的发展，传统的平面式的mosfet对沟道电流的控制能力变弱，造成严重的漏电流。鳍式场效应晶体管(fin fet)是一种新兴的多栅器件，它一般包括凸出于半导体衬底表面的鳍部，覆盖部分所述鳍部的顶部表面和侧壁的栅极结构，位于栅极结构两侧的鳍部中的源漏掺杂区。与平面式的mosfet相比，鳍式场效应晶体管具有更强的短沟道抑制能力，具有更强的工作电流。
3、随着半导体技术的进一步发展，传统的鳍式场效应晶体管在进一步增大工作电流方面存在限制。具体的，由于鳍部中只有靠近顶部表面和侧壁的区域用来作为沟道区，使得鳍部中用于作为沟道区的体积较小，这对增大鳍式场效应晶体管...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于相邻的所述沟道层之间的阻挡层。
3.如权利要求2所述半导体结构，其特征在于，所述阻挡层的材料包括：氮化硅、氧化硅、碳氧化硅和碳氮氧化硅中的一种或多种组合。
4.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述栅极结构两侧所述鳍部结构内的源漏掺杂层，所述源漏掺杂层内具有源漏离子。
5.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括：栅介质层和栅极层。
6.如权利要求5所述半导体结构，其特征在于，所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于相邻的所述沟道层之间的阻挡层。
3.如权利要求2所述半导体结构，其特征在于，所述阻挡层的材料包括：氮化硅、氧化硅、碳氧化硅和碳氮氧化硅中的一种或多种组合。
4.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述栅极结构两侧所述鳍部结构内的源漏掺杂层，所述源漏掺杂层内具有源漏离子。
5.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括：栅介质层和栅极层。
6.如权利要求5所述半导体结构，其特征在于，所述栅极层的材料包括金属；所述金属的材料包括：氮化钛、氮化钽、铝化钛、钨、钴、氮化钛硅、铝、钛和钽中的一种或多种组合。
7.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述衬底上形成鳍部结构和栅极结构之前，还包括：在所述衬底上形成初始鳍部结构和伪栅结构，所述初始鳍部结构包括沿所述衬底表面法线方向重叠排布的若干沟道层和若干牺牲层，所述牺牲层位于相邻的所述沟道层之间，或者位于相邻的所述沟道层和所述衬底之间，相邻的所述沟道层在所述衬底上投影部分重叠，所述伪栅结构横跨所述初始鳍部结构。
9.如权利要求8所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括：第一区、以及位于所述第一区两侧的第二区和第三区；所述初始鳍部结构的形成方法包括：在所述衬底上形成第一牺牲材料膜；在所述第一牺牲材料膜上形成第一沟道材料膜；去除位于所述第二区上的部分所述第一沟道材料膜，形成第一开口；在去除部分所述第一沟道材料膜之后，在所述第一开口内、以及所述第一沟道材料膜上形成第二牺牲材料层；在所述第二牺牲材料膜上形成第二沟道材料膜；去除位于所述第三区的部分所述第二沟道材料膜，形成第二开口；在去除部分所述第二沟道材料膜之后，在所述第二开口内、以及所述第二沟道材料膜上形成第三牺牲材料层；在所述第三牺牲材料膜上形成第三沟道材料膜；去除位于所述第二区上的部分所述第三沟道材料膜，形成第三开口；在形成所述第三开口之后，对所述第一牺牲材料层、第二牺牲材料层、第二牺牲材料层、第一沟道材料层、第二沟道材料层以及第三沟道材料层进行图形化处理，形成所述初始鳍部结构。
10.如权利要求8所述半导体结构的...
【专利技术属性】
技术研发人员：于海龙，苏博，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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