HV器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种HV器件，包括：栅介质层形成于第一沟槽中的栅介质层，形成于第二沟槽中的第二介质层，漏端浅沟槽隔离的第二侧面和第一沟槽的第一侧面对齐，第二沟槽的第二侧面和所述漏端浅沟槽隔离的第一侧面对齐。漏端高压扩散区形成于第一高压阱区中，漏端浅沟槽隔离位于漏端高压扩散区中；漏区形成于第二介质层的第一侧面外的漏端高压扩散区的表面区域中，沟道区由位于栅介质层底部的第一高压阱区组成。HV器件导通时，第二介质层用于增加沟道区和漏区之间的导通电流的深度。本发明专利技术还公开了一种HV器件的制造方法。本发明专利技术能降低漏端浅沟槽隔离特别是漏端浅沟槽隔离的底部尖端对导通电流的不利影响，从而能提高器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种高压(hv)器件；本专利技术还涉及一种hv器件的制造方法。

技术介绍

1、作为第三代的显示技术的有机发光二极管(oled)是一种电流注入复合发光型，主要优点是高亮度，高对比度，宽视角，响应速度快，低工作电压，适应性强，能量转换效率高，制作工艺简单等，由于oled巨大的技术优势和应用前景，因此受到学术界和产业界的广泛关注。

2、oled属于电流驱动型，oled的电流密度依赖于两端的驱动电压，电压越高，电流密度越大。在长时间的使用过程中，oled器件本身会老化，其电压，电流密度，发光亮度之间的关系不一直保持恒定。oled器件的老化，最直接的表现就行oled开启电压上升以及发光效率的降低。为维持相同的发光亮度，就必须增加流过的oled电流，所以在oled中需要高压器件来实现大电流的功能。

3、另一方面，oled内部的存储模块有限，必须选取外部的存储器对图像数据进行存储。静态存储器(sram)由于高的读写速度，和在加电的情况下不用进行刷新操作就能保持数据成为oled中常用的存储器。

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【技术保护点】

1.一种HV器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的HV器件，其特征在于：所述第一沟槽和所述第二沟槽采用相同的刻蚀工艺同时形成；

3.如权利要求2所述的HV器件，其特征在于：所述第二沟槽的刻蚀区域由所述第一沟槽的刻蚀区域扩展形成。

4.如权利要求3所述的HV器件，其特征在于：所述第一沟槽的刻蚀区域采用所述栅极导电材料层的光罩定义。

5.如权利要求2所述的HV器件，其特征在于：所述栅介质层的材料包括氧化硅。

6.如权利要求5所述的HV器件，其特征在于：所述栅极导电材料层包括金属栅。

7.如权利要求1所述的HV器...

【技术特征摘要】

1.一种hv器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的hv器件，其特征在于：所述第一沟槽和所述第二沟槽采用相同的刻蚀工艺同时形成；

3.如权利要求2所述的hv器件，其特征在于：所述第二沟槽的刻蚀区域由所述第一沟槽的刻蚀区域扩展形成。

4.如权利要求3所述的hv器件，其特征在于：所述第一沟槽的刻蚀区域采用所述栅极导电材料层的光罩定义。

5.如权利要求2所述的hv器件，其特征在于：所述栅介质层的材料包括氧化硅。

6.如权利要求5所述的hv器件，其特征在于：所述栅极导电材料层包括金属栅。

7.如权利要求1所述的hv器件，其特征在于：hv器件为非对称性结构，所述源区和所述栅介质层的第二侧面自对准；

8.如权利要求1所述的hv器件，其特征在于：在所述hv器件的外周的所述第一高压阱区中还形成有第二导电类型掺杂的周边高压扩散区，在所述周边高压扩散区的表面形成有第二导电类型重掺杂的衬底引出区，所述衬底引出区和所述源区电连接。

9.一种hv器件的制造方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：田志，邵华，陈昊瑜，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：