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本发明公开了一种HV器件，包括：栅介质层形成于第一沟槽中的栅介质层，形成于第二沟槽中的第二介质层，漏端浅沟槽隔离的第二侧面和第一沟槽的第一侧面对齐，第二沟槽的第二侧面和所述漏端浅沟槽隔离的第一侧面对齐。漏端高压扩散区形成于第一高压阱区中，漏...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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