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一种半导体结构及其形成方法,其中形成方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成鳍部结构和栅极结构,所述鳍部结构包括若干沿所述衬底表面法线方向重叠排布的沟道层,相邻的所述沟道层在所述衬底上投影部分重叠,所述栅极结构横跨所述鳍部结构,所述栅极结构包围...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,其中形成方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成鳍部结构和栅极结构,所述鳍部结构包括若干沿所述衬底表面法线方向重叠排布的沟道层,相邻的所述沟道层在所述衬底上投影部分重叠,所述栅极结构横跨所述鳍部结构,所述栅极结构包围...