沟槽电容器和形成该沟槽电容器的方法技术

本发明专利技术涉及沟槽电容器和形成该沟槽电容器的方法。一种形成半导体器件的方法包括：在衬底中形成具有侧壁的开口；以及在所述开口中形成第一外延层。所述第一外延层是在所述侧壁的第一部分中形成的，而不是在所述侧壁的第二部分中生长。在形成所述第一外延层之后，在所述开口中形成第二外延层。所述第二外延层是在所述侧壁的第二部分中形成的。在形成所述第二外延层之后，移除所述第一外延层。

【技术实现步骤摘要】
沟槽电容器和形成该沟槽电容器的方法
本专利技术总体涉及电容器，并且更具体地，涉及沟槽电容器和形成该沟槽电容器的方法。
技术介绍
具有电容器的半导体器件常用在许多应用中。每个电容器具有由绝缘层分离的两个电极。这种电容器可以是堆叠电容器、金属绝缘体金属（MIM）电容器、沟槽电容器和垂直平行板（VPP）电容器。沟槽电容器用于增大每单位面积的电容。然而，包括电容器的半导体器件的品质因数必须随每一代半导体技术而增大。一种用于改进电容器的方式是：通过进一步增大每单位面积的电容，使得可以制造深规模的器件。可以通过增大沟槽深度来增大每单位面积的电容，但是出于技术原因而限制最大沟槽深度。因此，为了在不违背其他需求的情况下增大电容，新电容器结构和制造方法是必要的。
技术实现思路
通过本专利技术的示意性实施例，总体上解决或避免了这些和其他问题，并且总体上实现了技术优势。根据本专利技术的实施例，一种半导体器件包括：衬底，具有带有第一侧壁的开口；以及中央柱，布置在所述开口的中央区中。所述中央柱包括第一电极材料。第一介电层布置在所述中央柱周围。第二电极材料布置在所述第一介电层周围。所述第二电极材料接触所述第一侧壁的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底，具有包括第一侧壁的开口；中央柱，布置在所述开口的中央区中，所述中央柱包括第一电极材料；第一介电层，布置在所述中央柱周围；第二电极材料，布置在所述第一介电层周围，所述第二电极材料接触所述第一侧壁的第一部分；外围柱，布置在所述开口的外围区中，所述外围柱电耦合至所述中央柱；以及第二介电层，布置在所述外围柱周围，所述第二介电层接触所述第一侧壁的第二部分。

【技术特征摘要】
2012.02.24 US 13/405,0921.一种半导体器件，包括：衬底，具有包括第一侧壁的开口；中央柱，布置在所述开口的中央区中，所述中央柱包括第一电极材料；第一介电层，布置在所述中央柱周围；第二电极材料，布置在所述第一介电层周围，所述第二电极材料接触所述第一侧壁的第一部分；外围柱，布置在所述开口的外围区中，所述外围柱电耦合至所述中央柱；以及第二介电层，布置在所述外围柱周围，所述第二介电层接触所述第一侧壁的第二部分。2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述中央柱和所述外围柱形成沟槽电容器的第一电极的一部分，所述第一介电层和所述第二介电层形成所述沟槽电容器的电容器电介质的一部分，以及所述第二电极材料形成所述沟槽电容器的第二电极的一部分。3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述外围柱包括所述第一电极材料。4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第二电极材料部分地布置在所述第二介电层周围。5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述外围柱具有刻面形状。6.根据权利要求5所述的器件，其中，所述外围柱具有沿所述衬底的{100}或{110}晶面定向的侧壁。7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述中央柱具有刻面形状。8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一侧壁的第一部分是所述第一侧壁的中央部分，以及其中，所述第一侧壁的第二部分比所述第一部分更接近于所述第一侧壁的边缘。9.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一侧壁的第一部分比所述第二部分更接近于所述第一侧壁的边缘，以及其中，所述第一侧壁的第二部分是所述第一侧壁的中央部分。10.根据权利要求1所述的器件，其中，所述开口包括第二侧壁，所述第二侧壁与所述第一侧壁垂直。11.根据权利要求1所述的器件，其中，所述衬底通过所述第一侧壁的第二部分与外围柱电容性耦合。12.根据权利要求1所述的器件，还包括布置在所述衬底中所述开口周围的掺杂区。13.根据权利要求1所述的器件，其中，所述衬底包括硅，以及所述第二电极材料包括单晶硅。14.一种半导体器件，包括：衬底，具有包括第一侧壁的开口；中央柱，布置在所述开口的中央区中，所述中央柱包括第一电极材料；第一介电层，布置在所述中央柱周围；第二电极材料，布置在所述第一介电层周围，所述第二电极材料接触所述第一侧壁的第一部分但不接触所述第一侧壁的全部；以及外围柱，布置在所述开口的外围区中，所述外围柱电耦合至所述中央柱。15.根据权利要求14所述的器件，还包括：第二介电层，布置在所述外围柱周围，所述第二介电层的一部分接触所述第一侧壁的第二部分，其中，所述第二电极材料覆盖所述第二介电层的其余部分。16.根据权利要求15所述的器件，其中，沿所述衬底的{100}或{110}晶面对所述外围柱的侧壁进行定向。17.根据权利要求14所述的器件，其中，所述衬底包括硅，以及所述第二电极材料包括单晶硅。18.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底中形成开口；在所述开口中形成第一外延层，所述第一外延层包括在所述开口的侧壁处与所述衬底的材料不同的材料；在所述开口中形成第二外延层，所述第二外延层是在所述开口的侧壁处与所述衬底相同的材料；移除所述第一外延层；使...

【专利技术属性】
技术研发人员：R贝格尔，S庞普尔，T波普，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：